排序方式: 共有51条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
有机发光显示(OLED)作为下一代显示器倍受关注。本文简要介绍OLED显示器的几项新技术和制作方法,以及其研究现状和今后的发展趋势。 相似文献
2.
3.
以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜,并利用椭圆偏振测厚仪、超高电阻-微电流计、C-V测试仪对所沉积的薄膜作了相关性能测试.系统分析了沉积温度和射频功率对SiN薄膜的相对介电常数、电学性能及界面特性的影响.分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiN薄膜中的Si/N比影响薄膜的性能,在制备高质量的p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值. 相似文献
4.
5.
6.
射频溅射法制取ZnS·Ag发光薄膜 总被引:1,自引:1,他引:0
用烧结ZnS·Ag蓝色荧光粉靶在钇铝柘榴石单昌基片上射频溅射制了ZnS·Ag蓝色发光薄膜。讨论了基片温度及放电气体中H2S的含量对薄膜发光特性的影响。实验表明,基片加热温度应控制在500℃左右,放电气体中H2S含量应控制在0.2%左右,所制得的薄膜具有和P22-B1荧光粉相同的发光光谱。 相似文献
7.
光寻址液晶光阀的吸收层 总被引:2,自引:0,他引:2
光寻址液晶光阀是一种高分辨率空间光调制器,是高亮度,高分辨率大屏幕光寻址液晶光阀投影机的核心部件,为了避免读出光对图像对比度和分辨率的影响,光阀结构中需要一层高光吸收能力的吸收层。本讨论了光寻址液晶光阀对光吸收层的吸收性能要求,吸收层需求在全光谱范围内都有比较强的吸收,碲化镉薄膜对蓝,绿光有较强的吸收,钒氧配套红光具有较强的吸收,它们具有近似互补的吸收光谱。碲化镉和钒氧酞菁复合多层吸收薄膜综合了两种材料的光吸收特性,在全光谱范围内都有良好的吸收,是一种制作光寻址液晶光阀的吸收层的理想方法。 相似文献
8.
由于多晶硅薄膜晶粒间界存在大量的悬挂键与缺陷,形成带隙能态,从而导致在有源层中形成载流子陷阱和杂质分凝,本文从微观方面解释悬挂键形成带隙能态的原因极其影响,并给出降低带隙密度的方法-氢化。 相似文献
9.
p-Si TFT栅绝缘层用SiNx薄膜界面特性的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
以NH3和SiH4为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了SiNx薄膜.系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx薄膜界面特性的影响.分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiNx薄膜中的si/N比和H含量影响薄膜的界面特性,而NH3/SiH4流量比则主要通过影响薄膜中的H含量影响薄膜界面特性.实验制备的SiNx薄膜层中的固定电荷密度、可动离子密度、SiNx与p-si之间的界面态密度分别达到了1.7×1012/cm2、1.4×1012/cm2、3.5×1012/(eV·cm2),其界面特性达到了制备高质量p-si TFT栅绝缘层的性能要求. 相似文献
10.
为提高脉冲氙灯的工作性能,降低脉冲氙灯的着火电压。文章围绕提高脉冲氙灯阴极的电子发射性能,采用等静压制、高温烧结、化学共沉淀法制备掺氧化钪铝酸盐、高温浸渍发射物质等工艺,制备出含钪钡钨阴极。对该阴极的热电子发射性能测试结果显示,在阴极温度分别为950℃、1 050℃和1 100℃时,阴极脉冲发射零场电流密度分别为23.6 A/cm~2、35.7 A/cm~2和49 A/cm~2。在铝酸盐中掺入一定量的氧化钪,其作用在于和铝酸盐中的氧化钡结合为2BaO+0.5Sc_2O_3,它成为氧化钡或钡原子的载体,起控制和补充发射源的作用。因此,在铝酸盐中掺一定量的氧化钪能显著提高阴极的电子发射能力,该阴极具有均匀性良好的热电子发射能力和较好的抗离子轰击能力。 相似文献