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平行封焊技术是电子器件后道处理工艺中的关键技术。作者从工艺的角度分析了设备条件、工艺参数的选择、关键步骤的控制、焊接材料等对器件的影响。确定了一套比较合理的处理工艺流程。该技术在高频微波器件的封装中得到了良好的应用效果。 相似文献
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介绍了LTCC腔体和微流道的用途、结构形式以及腔体的制作方法。详细分析了LTCC空腔在层压和共烧时产生变形的原因。介绍了采用碳基牺牲材料以及无牺牲材料形成内埋置通道的方法。最后介绍了LTCC微流控系统在水质检测中的应用。 相似文献
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使用射频磁控溅射法在非晶态的二氧化硅衬底上制备Ce1YIG磁光薄膜。生成的Ce1YIG薄膜为非晶态形式 ,经过后续的热处理过程 ,转变为晶化薄膜 ,在用波长为 6 30nm的激光测量时 ,薄膜的饱和法拉弟旋转系数θF 为 80 0°/mm。晶化薄膜具有很强的平行于膜面的磁化强度 ,用VSM测得晶化薄膜的居里温度为 2 2 0℃。实验结果表明 :所制备的薄膜适宜于制备波导型磁光隔离器。同时 ,这一方法为进一步研究非互易平面光波回路打下了基础 相似文献
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在二氧化硅衬底上制备磁光Ce:YIG薄膜用于磁光波导型器件 总被引:1,自引:0,他引:1
对Ce1YIG磁光薄膜的制备过程及磁光性能进行了详细的研究.用RF磁控溅射法在二氧化硅的基片.上淀积Ce1YIG薄膜,再对此薄膜进行晶化处理,以得到具有磁光性能的Ce1YIG薄膜.本文讨论了晶化过程中,Ce1YIG薄膜微观结构的变化对其磁光性能的影响.结果表明:采用波长为630nm的可见光测量,薄膜的饱和法拉第旋转系数θF为0.8deg/μm.同时,晶化薄膜易磁化方向为平行于膜面方向,其居里温度点为220℃.所得Ge1YIG薄膜的参数表明:所制备的薄膜适宜于制备波导型磁光隔离器. 相似文献
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