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对a-Si:H及μC-Si:H膜的Raman散射谱的观测中,出现了类TA 模强度高于类TO模的情况.在非晶硅薄膜晶化过程中,类TA模同样呈现出规则性的变化,并可同C-Si一级声子谱的TA模精细结构对应起来.说明通过分析类TA模精细结构的变化,同样可用来分析研究a-Si:H膜中结构变化及其晶化过程的规律. 相似文献
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等离子化学传输淀积[PCTD]法是我们设计的一种用来制备非晶态硅合金膜的新法。利用从气体源产生的等离子体中的活性元素,在腐蚀区腐蚀多晶硅或多晶硅加掺杂料。腐蚀后的产物由于气流和电场的作用,传输到淀积区与衬底表面起反应淀积出非品硅合金膜。用此法也能淀积出非晶态砷化镓薄膜。 相似文献
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RamanStudyofDefectsinSI-GaAsandSe-dopedEpitaxialLayerIrradiatedby10MeVElectronsWuFengmei,LiHaifeng,ChenWuming,ChengGungxuandH... 相似文献
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