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掺Rh对纳米SnO2的气敏性能的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
以无机试剂为前驱物,采用溶胶—凝胶法合成了纳米级 SnO_2,以此为基材掺入不同量 Rh 作为气敏材料制成气敏元件。测试了它们的阻温特性和气敏性能。通过比较它们对还原性气体的灵敏度和选择性,讨论了掺入 Rh 催化剂对纳米 SnO_2的阻温特性和气敏性能的影响。结果表明,纳米 SnO_2具有特征的阻温曲线。随着 Rh 催化剂掺入,不仅引起电阻增大,同时掺杂 Rh 占据表面活性位,使纳米 SnO_2对表面氧吸附时的物种类型相互转换的影响体现不出来。不过,在工作温度为300℃时。掺入0.2%Rh 催化剂使得纳米级 SnO_2对 C_2H_5OH 和 petrol、H_2的灵敏度提高了10倍以上,而且使其对 petrol 与 C_4H_(10)的选择性检测性提高了3倍以上,对 C_2H_5OH 与 CO 的选择性检测性提高2倍以上。 相似文献
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溶胶-凝胶法制备的纳米In2O3气敏性能研究 总被引:10,自引:0,他引:10
以氯化铟为前驱体 ,通过溶胶 -凝胶法制备了纳米In2 O3 颗粒 .经TG -DSC热分析表明 :In(OH) 3 在 2 72 9℃附近脱水形成In2 O3 .经XRD ,TEM等手段表征的结果显示 :所合成的纳米In2 O3属立方晶型 ,晶粒尺寸约 2 0nm .气敏性能测试结果表明 :纳米In2 O3 气敏元件对TMA及NH3 灵敏度高 .通过与某公司提供的粒度为 3.0 77μm的In2 O3 制成的气敏元件比较得知 ,纳米In2 O3 气敏元件对TMA的灵敏度提高特别明显 . 相似文献
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采用固相研磨法对纳米NiO粉体气敏材料进行掺杂,用静态配气法测试了掺杂后材料对还原性气体的气敏性能.结果表明:掺杂WO3可以明显地提高纳米NiO的检测灵敏度,且随着掺杂量的增加,灵敏度提高显著. 相似文献
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CNT-WO3元件的氨敏性能研究 总被引:14,自引:0,他引:14
以碳纳米管(CNT)为掺杂剂制成CNT—WO3旁热式气敏元件.采用混酸氧化法对碳纳米管进行纯化,化学沉淀法制备了纳米WO3微粉,并用TEM、FT—IR、TG—DSC、XRD等方法进行了表征.测试了元件在室温条件下对NH3的气敏性能.结果表明,碳纳米管掺杂元件在室温下对NH3的灵敏度远远高于纯WO3元件,其中0.8wt%的掺杂元件对NH3具有最高的灵敏度.另外,掺杂元件还具有检测浓度低、检测范围宽、选择性好等优点,是一种较为理想的氨敏元件. 相似文献
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一维氧化锌的水热合成及其气敏性能的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
Zn(NO3)2为原料,CTAB为形貌控制剂, 采用水热合成技术制备了一维氧化锌粉体. 采用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)等测试技术对产物的相组成和微观形态进行了表征和分析, 结果表明一维氧化锌属于六方晶系, 分散性好, 纯度高, 直径~200nm, 长度~5μm. 用该粉体制成烧结型旁热式气敏元件, 测试其气敏性能. 结果表明, 在170℃左右对10ppm的三甲胺、甲醇等还原性气体有很好的响应. 文中对一维材料的气敏机理也进行了讨论. 相似文献
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以InCl3·4H2O为原料,经水解、胶溶、凝胶、煅烧得到了纳米级In2O3.利用XRD,TEM,TG-DTA等测试手段对纳米级In2O3的晶粒生长过程进行了研究.计算表明:随着煅烧温度的升高,平均晶粒度增大,而平均晶格畸变率则随着平均晶粒度的增大而减少.表明粒子越小,晶格畸变率越大,晶粒发育越不完整.应用相变理论计算得温度低于500℃煅烧1h,晶粒生长活化能为4.75kJ·mol-1,高于600℃时,晶粒生长活化能为66.40kJ·mol-1.TEM分析表明:加入适量形貌控制剂,可使颗粒的粒径和形貌得到很大改善. 相似文献
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