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1.IntroductionSisNnisakindofhardceramic,whichhasex-cellentmechanical,opticalandelectrlcalproper-ties[l].Withtheadvantagesofexcellentwet-resistanceandthermalstability,goodinsulatingandhighstep-coverlngproperties,higherthermalcon-ductivitythanSlO2,andthecorrosionresistancetothealkalimetal[2],Si3N4filmisaperfectprotec-tivecoatingofthefinalsurfaceafterthewiringofAllineinthefabricatingprocessofthesemiconductorlntegratedclrcult[31.However,whiledepositingtheprotectivefilmsofSi3N4onthechipsofthesem… 相似文献
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1. IntroductionThe surface parts of a low-orbit satellite are Oftenexpased to the erosion from ultraviolet light, X-ray,the excited atoms, and the ions from the ionosphereplasma. To test economicajly the surviVability of thePFM (plasma faCing material) of the parts, it is necessary to build a land-borne simulator of satellitesenvironment. The content of this thesis is the development of a mirror-like, alnbi-polar diffused ECRplasma source for the simulator.The severe ionosphere environment… 相似文献
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为了经济地考验空间电离层等离子体对处于其中的飞行器表面的作用,需要在地面建立等离子体环境模拟器。本文就是为空间电离层环境模拟器研制的扩散型极低气压、低电子温度和极低密度的紧凑型电子回旋共振等离子体源的研制。结果显示在等离子体源下游50cm处,在10-2～10-3Pa范围内获得了电子温度低于5eV,密度在104～106cm-3范围内的较为均匀的等离子体束流,基本满足了空间环境模拟实验的需要。 相似文献
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受电子器件芯片铝电极耐温性能的限制和钝化膜沉积工艺中高能粒子对芯片辐射损伤等因素的影响，一般的沉积方法难以用到要求较高的浅结器件的钝化工艺中。微波ECR-PCVD技术没有高能粒子对芯片的辐射损伤，可以在较低的温度条件下沉积出均匀致密、性能优良的Si_3N_4薄膜，因而成为微电子器件沉积钝化膜的最佳工艺。 相似文献
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受电子器件芯片铝电极耐温性能的限制和钝化膜沉积避高能粒子对芯片辐射损伤等因素的影响，一般的沉积方法难以用到要求较高的浅结器件的钝化工艺中，微波ＥＣＲ－ＰＣＶＤ技术没有高能粒子对芯片的辐射损伤，可以在较低的温度条件下沉积出均匀致密，性能优良的Ｓｉ３Ｎ４薄膜，因而成为微电子器件沉积钝化膜的最佳工艺。 相似文献
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