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本文给出了Co-Mn-Ni-O非晶薄膜样品在200-330K温度范围内的温差电动势率和直流电导率与温度的关系。实验结果表明,温差电动势率在所测温区内为正,且随温度的升高而增大。电导率呈现T~(-1/4)变化规律。这些结果可以用Fermi能级附近的定域态内的变程跳跃电导来解释。  相似文献   
3.
以对金属圆管弯曲过程中的受力和几何形状的分析为理论基础,确定弯管生产工艺方案,通过设计合适的弯曲工装,制作生产出符合技术要求的弯管,为类似结构的制作提供了理论和实践技术参考。  相似文献   
4.
通过分析影响数控火焰切割精度的各种因素,探讨提高数控火焰切割精度的工艺措施。  相似文献   
5.
锰—镍金属氧化物半导体材料的温差电动势率   总被引:1,自引:0,他引:1  
窦晓玲 《仪表材料》1990,21(3):147-149
  相似文献   
6.
通过对扇形更换道轨制造工艺难点及安装试用过程中的故障进行分析.针对制作难点分别采取了工装法、焊接顺序控制法、焊接应力的反变形控制法和外力矫正法等,并确定了合理的退火工艺,有效控制了焊接变形,满足了设计要求。  相似文献   
7.
在170~450K 温度范围内测量了具有尖晶石结构的 NiMn_2O_4氧化物半导体材料的温差电动势率 S 和电导率σ与温度的关系。结果表明,温度 T>270K 时,温差电动势率 S 随温度的升高而减小,T<270K 时,S 随温度的升高而增大,即在 T=270K 处 S-1/T 曲线出现拐点,同时电导率σ-1/T 曲线也在该点有明显拐折.分析表明,在 T>270K 时其电导为尾部定域态内的跳跃电导。T<270K 时,为费米能级 E_F 附近定域态内跳跃电导。  相似文献   
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