低压、低功耗SOI电路的进展

最近 IBM公司在利用 SOI(Silicon- on- insulator)技术制作计算机中央处理器 (CPU)方面取得了突破性的进展 ,该消息轰动了全世界。SOI电路最突出的优点是能够实现低驱动电压、低功耗。文中介绍了市场对低压、低功耗电路的需求 ,分析了 SOI低压、低功耗电路的工作原理 ,综述了当前国际上 SOI低压、低功耗电路的发展现状。     

新型溶胶-凝胶法制备纳米MgO薄膜的研究

以硝酸镁为起始原料,胶棉液为添加剂,在Ｓｉ（１００）衬底上成功地制备ＭｇＯ薄膜,结果表明,胶棉液是形成ＭｇＯ溶胶的关键组份;薄膜的晶体结构与胶棉液的含量及退火温度有关．同时,用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、原子力显微镜（ＡＦＭ）和透射电镜（ＴＥＭ）对薄膜的微观结构进行了分析．     

用喷雾热分解法制备MgO薄膜

用压缩空气式喷雾热分解法在Ｓｉ（１００）衬底上制备了（１００）取向ＭｇＯ薄膜。结果表明：衬底温度和喷雾速率是制备（１００）取向ＭｇＯ薄膜的关键因素。在６００℃得到了（１００）取向的ＭｇＯ薄膜,用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）,原子力显微镜（ＡＦＭ）和透射电镜（ＴＥＭ）分析了薄膜的微观结构。     

喷雾热分解法制备MgO薄膜的研究

用简单的压缩空报喷雾热分法以醋酸镁为原料在Ｓｉ（１００）衬底上成功地制备了（１００）取向的ＭｇＯ薄膜。结果表明,为获得（１００）取向的ＭｇＯ薄膜,衬底温度和喷雾速率是关键因素。控制实验条件,在６００℃得到了（１００）取向的ＭｇＯ薄膜。同时,用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、原子力显微镜（ＡＦＭ）和透射电镜（ＴＥＭ）对薄膜的微观结构进行了分析。     

溶胶-凝胶法制备MgO薄膜的研究

本文采用非金属醇盐以醋酸镁为起始原料,胶棉液为添加剂,在Ｓｉ（１００） 衬底上成功地制备了ＭｇＯ 薄膜。结果表明,薄膜的晶体结构与胶棉液的含量及退火温度有关。同时,用Ｘ射线衍射（ ＸＲＤ） 、原子力显微电镜（ＡＦＭ） 和透射电镜（ ＴＥＭ） 对薄膜的微观结构进行了分析。这种制备ＭｇＯ 薄膜的新方法还未见有报道。     

新型溶胶-凝胶法制备纳米MgO薄膜的研究

以硝酸镁为起始原料,胶棉液为添加剂,在Ｓｉ（１００）衬底上成功地制备ＭｇＯ薄膜,结果表明,胶棉液是形成ＭｇＯ溶胶的关键组份;薄膜的晶体结构与胶棉液的含量及退火温度有关．同时,用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、原子力显微镜（ＡＦＭ）和透射电镜（ＴＥＭ）对薄膜的微观结构进行了分析．     

硅中注氢热退火在晶体中产生的应力及其对晶体结构的影响

用X射线四晶衍射仪测量了不同温度下退火的注氢单晶硅的摇摆曲线,分析了不同温度退火后晶格内应力产生及消失的过程。并与离子背散射沟道分析进行了比较。结果表明,在400℃左右,氢注入形成的氢复合体分解,形成氢分子,氢分子在晶格中聚集,生成氢气,在高温下膨胀,引起晶格形变,并产生缺陷;当退火温度达到500℃以后,氢气的膨胀已超过晶体的屈服强度,产生了大量的缺陷、位错。同时在硅晶体内形成气泡,并在硅晶体表面造成砂眼、剥离等现象。