氧气氛退火对磁控溅射Ta2O5薄膜结构、表面形貌及电学性能的影响

本文采用磁控溅射在Si基体上制备Ta2O5薄膜,研究了退火前、500℃氧气氛退火半小时之后、800℃氧气氛退火半小时之后的Ta2O5薄膜的结构、表面形貌及电学性能.退火前和500℃退火的薄膜均为非晶薄膜,但500℃退火之后能使非晶薄膜结构更加致密,表面更加平整,并且给薄膜进行了补氧,提高了薄膜的绝缘性能.800℃退火之后的薄膜出现了结晶颗粒,晶界引起了大的漏电流,使薄膜的绝缘性能下降.     

有机半导体的自旋注入和自旋输运

利用自旋漂移-扩散方程自洽地得到了铁磁/有机半导体自旋注入结构中极化予电导的自旋相关性对自旋注入效率的影响.计算结果表明,自旋注入效率明显依赖于极化子电导的自旋相关性.在自旋注入效率增加30%的情况下,极化子电导的自旋相关性T=5K时将增大4个数量级左右,表明,在电场作用下的有机半导体自旋注入体系中,考虑极化子电导的自旋相关性对自旋注入的影响有着非常重要的意义.另外自旋注入效率还是位置的函数,但当电场大于100mV/μm后,极化子的自旋相关性几乎不再随极化子所在位置发生变化,自旋注入效率此时也几乎与位置无关.     

深度非弹中自旋相关的质子结构函数

从自旋相关的价夸克分布出发,在部分子四动量较大的区域(大x区域),给出了自旋相关的质子结构函数,并将其理论结果与Capella模型给出的结构函数及NMC实验结果进行了比较,其理论结果与实验符合较好.     

磁性隧道结中自旋相关的隧穿输运

全面回顾和总结了磁性隧道结中自旋相关的隧穿这一研究领域的理论和实验方面的最新研究进展。讨论了影响磁性隧道结的自旋极化和隧穿磁电阻的各种因素及反映铁磁层和铁磁／绝缘层界面电子结构在隧穿中重要作用的理论模型和近期实验，同时也讨论了绝缘势垒和铁磁／绝缘层界面中的无序性在隧穿过程中对自旋极化与磁电阻效应的影响。     

Gd2Sn2O7的水热合成及光催化活性研究

采用水热法制备了Gd2 Sn2 O7 纳米颗粒,并用TEM,XRD,IR,Raman等技术对其进行了表征. 结果表明:Gd2 Sn2 O7 纳米颗粒的粒径约为40 nm左右,且尺寸分布均匀. 以紫外光为光源,甲基橙为目标降解物,研究了该纳米催化剂的光催化活性,结果显示其具有较高的催化效率(6 h可降解96%). 另外,对甲基橙催化降解后的产物进行了UV-Vis,IR,Fluorescence表征分析,并初步分析了甲基橙分子在该实验条件下的光催化降解机制.     

界面自旋翻转对有限尺寸的铁磁体/非磁性半导体/铁磁体体系自旋注入的影响(英文)

本文考虑了界面自旋翻转效应后对有限尺寸的铁磁体/非磁性半导体/铁磁体异质结中的自旋注入问题进行了系统的理论探讨.由于自旋在两种介质界面上发生的翻转散射,自旋极化流的每一个分量在界面上都不可能连续.计算结果表明,当自旋注入效率从0增加到100%的过程中,铁磁体/非磁性半导体/铁磁体异质结的隧穿磁阻增大了两个数量级.这一事实证明界面的自旋翻转效应直接影响着铁磁体/非磁性半导体/铁磁体异质结的隧穿磁阻.     

电磁场对大功率直流电源pn结排布的影响

在大功率整流电源的制作设计中,一个很重要的问题是如何解决输电线上交变电流对pn结的电磁影响。交变电流会在空间产生交变电磁场,交变电磁场的分布直接影响着整流电源中pn结的排列设计。各输电线上的交流电流都会在空间产生电磁场,其中输入输出交流电的两输电线对空间电磁场的分布起着举足轻重的作用。从麦克斯韦方程组出发,以有限长的平行直导线为模型研究了载有交流电的两输电线周围的电磁场分布,可以直接用于指导整流电源的设计。     

半金属Fe3O4薄膜的磁控溅射制备及磁电学性能研究

利用交流磁控溅射法,在H2中采用Fe3O4靶材,成功制备了(111)取向的Fe3O4薄膜.对薄膜样品进行XRD测试,研究不同衬底温度对成相的影响.对薄膜表面的XPS测试结果表明所制备薄膜为单相Fe3O4沉积过程中随H2量增大,薄膜表面粗糙度有显著增加.对薄膜进行磁学性能的测试,饱和磁化强度高达5 000Oe,反映了反相晶粒边界(APBs)的存在.Tv以下较低的晶格对称度导致了矫顽场的增大.薄膜的电阻随温度变化曲线(R-T)显示115K附近出现Verwey相变,对R-T曲线的拟和结果显示,Fe3O4薄膜在40～300K温度区间为电子的变程跳跃VRH(Variable range hopping)导电机制.     

自旋注入对有机半导体极化子电导的影响

在有机半导体自旋电子器件中,自旋从铁磁极注入到有机半导体后,自旋相上的极化子和自旋向下的极化子有不同的态密度,从而产生不同的电导.利用自旋漂移一扩散方程通过自洽计算得到了铁磁/有机半导体自旋注入结构中极化子自旋相关的电导和电流的自旋极化率.计算结果表明,极化子电导的自旋相关性是自旋注入引起的,和电流的自旋极化率密切相关;在自旋注入发生后,有机半导体内不同位置上极化子自旋态密度不同,由此产生的极化子电导也不相同,极化予电导是位置的函数.另外还发现,外电场会增强有机半导体电流的自旋极化率.     

自旋相关的夸克分布

本文采用质子的夸克-双夸克模型图像,考虑到SU(6)对称性破缺及来自PQCD语言的修正,从Cappela的质子结构模型中提取出了具有更为明确物理意义的自旋相关的夸克分布.