掺碳GaAs生长特性的研究

采用以碳纤维为碳源的固态源MBE技术，生长了不同厚度的重接碳GaAs以及具有不同表层厚度的δ碳掺杂GaAs，通过Nomarski干涉显微镜和原子力显微镜（AFM）对样品表面形貌的观察，分析了挨碳GaAs的生长过程和各种缺陷的产生，提出碳的掺入导致了GaAs材料的三维岛状生长，促进了各种缺陷的力生。提出了通过改善生长条件减少缺陷的途径。     

碳掺杂GaAs的MBE生长

本文在国内首次采用自行设计的碳纤维束源炉及固态源ＭＢＥ技术生长了优质碳掺杂ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ及δ碳掺杂ＧａＡｓ外延层。获得了空穴浓度从４×１０１４ｃｍ－３到２×１０１９ｃｍ－３的ＧａＡｓ材料。用霍尔效应测量仪、电化学ＣＶ剖面仪和Ｘ射线双晶衍射仪分析了外延层的质量。用Ｎｏｍａｒｓｋｉ干涉显微镜和原子力显微镜分析了ＧａＡｓ的生长过程。结果表明碳是ＧａＡｓＩＩＶ族化合物半导体的极好的ｐ型掺杂剂。