排序方式: 共有28条查询结果,搜索用时 712 毫秒
1.
2.
采用水热法,分别以丙二酸、正丁醇、乙二胺为表面活性剂,研究3种体系下TiO2纳米晶体的生长过程。XRD结果显示3种体系下主要产物为锐钛矿TiO2;TEM和HRTEM结果表明在不同的生长阶段,纳米晶体的生长结构特点明显不同。分别采用定向生长理论(Orientation attachment,OA)、弗兰克尔收缩理论(Frenkel shrinking,SH)、奥斯特瓦尔德熟化理论(Ostwald ripening,OR)对3种体系下的晶体生长进行理论模拟,结果发现在丙二酸、乙二胺体系下晶体生长分为3个阶段:定向聚集生长、颗粒收缩、奥斯特瓦尔德熟化,且乙二胺体系下颗粒明显增大;但是在正丁醇体系下晶体生长仅显示明显的OR特征,不存在OA生长。理论和实验分析说明不同体系下晶体生长方式不同的主要原因是由于3种表面活性剂以及溶液pH值的不同作用。 相似文献
3.
结合电厂深基坑支护施工实例,根据实际情况确定了基坑支护方案,对该电厂的深基坑支护进行了结构设计,探讨了深基坑施工中的监测和应急措施。 相似文献
4.
5.
6.
Recently,a numberofpapers on Ga N-based field-effecttransistors(FETs) have beenreported.The metal-insulator-semiconductor technology is widely adopted in manyapplications since it can provide the high DC input impedance,large gate voltage swings,norm... 相似文献
7.
采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法在Si(100)衬底上淀积一层厚度约为170nm的富Ge高C含量的Si1-x-yGex/Cy薄膜,然后将其分别在800℃和1100℃下湿氧氧化20min.在室温下观测到强烈的光致发光.室温下的光致发光谱(PL谱)测量显示,800℃下氧化后的样品在370nm和396nm附近有两个光致发光带,1100℃下氧化后的样品只在396nm附近有一个光致发光带.396nm附近的发光带可归之于由氧化薄膜中的缺陷O-Si-O(Si20)或O-Ge-O(Ge20)引起的,而370nm附近的发光带与薄膜中Ge-C对发光中心有关. 相似文献
9.
10.
分析了釉熔体中非晶光子晶体结构的形成过程及该结构对釉面的可见光反射增强机理。在多组分釉系统中,通过石灰石用量变化以调节形成合适的非晶光子晶体结构。结果表明:引入适量石灰石可以促进釉熔体的有效分相,形成富含Si相和富含阳离子相,强极性阳离子Ti、Zn、Ca、Mg等富集在两相界面以形成特殊核壳颗粒,其短程有序排列于釉层中形成蛋白石型非晶光子晶体结构,而在坯釉界面处形成反蛋白石型非晶光子晶体结构,在这两种结构的作用下,釉面可见光反射率得到明显提高。 相似文献