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用粉末靶射频磁控溅射的方法在650℃的(110)SrTiO_3衬底上成功地原位制备出起始转变温度96K,零电阻温度88.2K,用约0.4mm宽的桥在77K零磁场下临界电流密度达6×10~5A/cm~2,高度定向的钇钡铜氧超导薄膜,膜的厚度为0.22μm。发现控制溅射工艺参数并在溅射后进行原位热处理是获得高T_c超导薄膜的关键。 相似文献
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本文首先报道了纳米晶粒PLT(28)薄膜的制备,并研究其微结构、铁电、电光性能,讨论不同热处理条件对薄膜微结构的影响,以及晶粒尺寸与电光性能的关系。 相似文献
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Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的制备、结构及性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了一种以乙二醇为稳定剂的新的BST前驱液,用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上成功地制备出具有优良电学性能的Ba0.7Sr0.3 TiO3薄膜.乙二醇的加入有效地增加了前驱液的稳定性,并降低薄膜的结晶温度.利用XRD、DTA等技术分析了凝胶热处理过程中相变化情况及薄膜厚度与成相的关系.厚度 200nm,O2气氛中 700℃处理 15min后的 BST薄膜具有良好的介电性能,100kHz时介电常数ε>400,介电损耗 D<0.02;P—E电滞回线说明薄膜具有良好的铁电性能,剩余极化只约为1.4μC/cm2,矫顽场强 Ec约为 48kV/cm. 相似文献
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不挥发铁电存储器的最新发展 总被引:6,自引:2,他引:4
铁电材料具有自发极化并可由外电场反转,因此可以构成一种不挥发存储器.铁电薄膜与半导体集成,产生铁电随机存储器,并将成为存储器技术的主体. 相似文献
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Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的制备、结构及性能研究 总被引:6,自引:0,他引:6
研究了一种以乙二醇为稳定剂的新的BST前驱液,用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上成功制备出具有优良电学性能的Ba0.7Sr0.3TiO薄膜,乙二醇的加入有效地增加了前驱液的稳定性,并降低薄膜的结晶温度,利用XRD、DTA等技术分析了凝胶热处理过程中相变化情况及薄膜厚度与成相的关系,厚度2000nm,O2气氛中700℃处理15min后的BST薄膜具有良好的介电性能,100kHz时介电常数ε>400,介电损耗D<0.02,P-E电滞回线说明薄膜具有良好的铁电性能,剩余极化Pr约为1.4μC/cm^2,矫顽场强Ec约为48kV/cm. 相似文献