5G无线通信技术概念及相关应用

随着通信网络的日益发展及3G与4G技术的推广与应用,后4G时代的通信技术被命名为5G。5G通信技术作为概念性的技术在2001年由日本NTT公司提出,而我国5G概念则是于2012年8月在中国国际通信大会上被提出。目前,5G通信技术还没有统一的制式标准。前不久,报道称韩国三星公司已研发出5G通信技术,该技术被命名为Nomadic Local Area Wireless Access(简称NoLA)。手机在利用该技术后无线下载速度可以达到3.6G/s。本文将简要阐述5G通信技术的概念,并结合目前通信领域先进的技术(如云计算等)及概念性产品(如光场相机、比特币等)来阐述该技术在未来的发展和应用前景。     

长直SiO_2纳米线的制备和结构表征

采用磁控溅射法,以Si粉和溅金Si(111)为原料,加入C粉,在Si(111)衬底上制备无定形SiO2纳米线。首先,在Si(111)衬底上分别溅射厚度为18和36 nm的Au。然后,在1 100℃条件下处理80 min。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、傅里叶红外光谱(FTIR)和X射线衍射方法 (XRD)等测试手段对退火后的SiO2纳米线的表面相貌、微观结构进行分析。结果表明,反应后有大量长而直的SiO2纳米线生成。而且随着溅射Au厚度的增加,SiO2纳米线的数量增多,且长度更长。这表明,SiO2纳米线的生长与溅射Au的厚度密切相关。     

利用磁控溅射及热蒸发法制备SnO2纳米线及结构表征

以Sn为原料,采用磁控溅射及热蒸发法制得SnO2纳米线,用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、X射线衍射（XRD）、能量弥散X射线谱（EDS）、傅氏转换红外线光谱分析（FTIR）、拉曼光谱分析（Raman）等测试手段对纳米结构进行表征,结果表明,合成的二氧化锡纳米结构具有金红石结构,二氧化锡纳米材料的生长机制遵循气一液一固生长机制,生长过程中的温度和退火时间对二氧化锡纳米结构的形貌起着极其重要的作用,可以通过这些因素对二氧化锡纳米材料实行可控生长。     

二氧化锡纳米线自催化生长及其发光特性研究

在没有添加任何催化剂情况下,通过热蒸发锡粉制备了二氧化锡纳米线.利用扫描电子显微镜,X射线衍射和透射电镜对上述纳米线进行了结构表征.实验结果表明二氧化锡纳米线直径在100～400 nm,长度达数十微米.PL分析表明当激发波长为325 nm时,在581 nm处出现较强的黄色发光峰;在激发波长为250 nm时,在可见光区域579 nm处形成较强的发光峰,同时伴随一个385 nm处较弱的发光峰.二氧化锡纳米线的生长机制符合气-目生长模式.     

Au/SiO_2纳米复合薄膜的结构表征及光致发光特性

采用磁控溅射和退火技术制备出Au/SiO2纳米复合薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对上述纳米复合薄膜进行了结构表征。实验结果表明,纳米复合薄膜的表面上均匀分布着直径在100～300nm的金纳米颗粒。金纳米颗粒的大小随着退火时间的增加而增大。用荧光光谱仪(PL)对薄膜的光致发光特性进行了研究。结果表明,在激发波长为325nm时,分别在525nm和560nm处出现两个发光峰;在激发波长为250nm时,在325nm处出现发光峰,这一发光峰可能与非晶SiO2的结构缺陷有关。