RFe10V2（R=Y,Er）的穆斯堡尔谱研究

通过对ＹＦｅ１０Ｖ２中铁晶位配位情况的详细分析，提出在具有ＴｈＭｎ１２结构的稀土－过渡金属间化合物中，铁晶位超精细场指认的一般方法。结合点电荷和有效价键模型，对ＲＦｅ１０Ｖｗ的穆斯堡尔谱进行了研究。     

Al—5Fe—2Ni合金析出相的Mossbauer谱

用Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱学和ＸＲＤ方法研究了快速凝固Ａｌ－５Ｆｅ－２Ｎｉ（原子百分数）合金的析出相，结果表明，析出相为三元化合物Ａｌ９ＦｅｘＮｉ２－ｘ（０〈ｘ〈２）属于单斜晶系，晶格参数ａ＝０．８５８ｎｍ，ｂ＝０．６３１ｎｍ，ｃ＝０．６２１ｎｍ，β＝９４．８，它的Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱为一套双线，同质异能移位ＩＳ＝０．１２ｍｍ．ｓ＾－１，四极分别ＱＳ＝０．３２ｍｍ．ｓ＾－１，线宽Г＝０．２６ｍｍ．ｓ＾     

纳米微晶软磁合金中的磁织构

用Ｍｏｓｓｂａｒｕｅｒ谱方法研究了超微晶软磁合金中存在的磁织构现象，对测与未测过磁性的两组不同温度下退火的Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９合金的测量结果表明，晶化以后在非晶条带平面内出现了明显的沿带和择优取向的宽畸成分。     

Co／Si和Co／SiO_2界面反应的观察

本文用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和高分辨电镜研究Ｃｏ薄膜在氩气气氛或真空条件下热处理时Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／ＳｉＯ２体系的界面反应．结果表明：在氩气氛下４５０℃处理时，Ｃｏ薄膜均发生氧化，在Ｃｏ／Ｓｉ界面同时有硅化物形成，而在Ｃｏ／ＳｉＯ２界面，无硅化物产生．在真空条件下５００℃处理１小时，薄膜没有氧化，在Ｃｏ／Ｓｉ界面形成完整的ＣｏＳｉ２外延层．