工艺参数对碳纳米管取向生长的影响

采用催化热解法,以二茂铁和二甲苯分别作为催化剂和碳源,H2和Ar作为载气,制备了定向碳纳米管阵列;考察了工艺参数对碳纳米管取向生长的影响。结果表明:在二茂铁/二甲苯溶液进入反应室的温度为310℃,H2和Ar总流速为120mL/min,抛光硅基底上容易获得定向碳纳米管阵列。     

工艺参数对直流反应磁控溅射ZnO:Al薄膜沉积速率的影响

实验以合金靶材在玻璃衬底上运用直流反应磁控溅射法制备了ZAO(ZnO:Al)透明导电薄膜样品.研究了O2气流量,衬底温度,以及反应气压和溅射功率等工艺参数对ZAO薄膜沉积速率的影响规律.结果表明:沉积速率随O2气流量的增加显著降低,靶面溅射模式由金属模式转变为氧化物模式,而且这种转变趋势在改变其他参数时依然明显;沉积速率随溅射功率的增大几乎成线性增加,但随衬底温度的变化并不大;在反应气压增大的情况下,沉积速率不断上升,达到最大值后,又随气压的增大不断下降.     

浮动催化法制备碳管若干影响因素的研究

采用浮动催化法,利用卧式单一高温电阻炉,在以无水乙醇为碳源的反应体系中通过改变催化剂、反应气氛及流量、添加剂等实验参数合成了形貌不一的碳微纳米材料;采用SEM和Raman对产物进行了形貌观察和表征;比较了这些实验参数对浮动催化法制备碳纳米管的影响,并对其作用机理进行了简单分析.     

氢气流量对定向碳纳米管生长的影响及其生长机理研究

采用催化热解法,以二茂铁和二甲苯分别作为催化剂和碳源,在不同H2流量下,直接在硅基底上生长定向碳纳米管阵列.采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和拉曼光谱(Raman)对样品进行观察和表征,并研究了H2流量对定向碳纳米管生长的影响和碳纳米管定向生长的机理.结果表明:H2在反应过程中起刻蚀作用,H2流量为60cm3/min时,生长的碳纳米管定向性最好.