共溅射沉积的TbFeCo薄膜

本文介绍了利用射频共溅射技术制备垂直膜面单轴各向异性TbFeCo磁光薄膜,并研究了该薄膜的磁、磁光和读写性能。测试结果表明,这种TbFeCo薄膜的磁光盘其载噪比和擦写循环分别达到48dB和1×10~6次以上。该磁光盘可适用于数据存储。     

半导体激光器参数综合测量法及其应用

本文描述一种激光器参数综合测量方法和实验装置,不需移动待测样品,能测量光强-电流特性、近场和远场、激射光谱等激光器参数,以及对器件的结构、发光位置、腔面完整性等进行观察。     

电视选行扫描器及其应用

本文介绍了研制的电视选行扫描器的原理、结构、观察系统装置的特点和性能。此扫描器已应用于发光管及激光器的近场形貌、近场分布、发光管的暗线研究以及远场观察,光刻线条的测量,硅片透射研究等方面的工作。     

半导体激光器近场、远场的显示和测量

一、引言半导体激光器是当前光纤通信、光盘记录等领域中的关键性器件,而半导体激光器质量的优劣是多种参数决定的,其中发光近埸是一个重要参数。通过对激光器发光近埸的测最可以得到有源区均匀性,发光位置和电流扩展等信息。如果把发光近埸和光谱对应地进行测试,可以了解模式随电流的变化情况。     

GaAs/GaAlAs双异质结发光管和激光器热阻的测量

一、引言GaAs/GaAlAs双异质结发光管和激光器的热阻R_T是一个重要的热学参数。它将影响发光管的输出功率,激光器的阈值电流密度,决定着器件在室温下连续工作的寿命。通常,热阻大的器件,由于结区温度高,器件很容易退化烧毁,寿命短;热阻小的器件,结区温度低,器件能够长寿命地连续工作。热阻的定义:R_T=(T_J-T_(HS)/P),T_J是结区温度,T_(Hs)是热沉温度,它等于环境温度,P是器件的注入电功率。因此,对热阻R_T的测     

半导体激光器模式和参数的综合测量

一、前言半导体激光器在现代光电技术中是十分重要的器件。为了研制性能优良的激光器,必须对激光器的激射模式和重要参数进行测最研究。过去,人们对这些重要参数的测量大都是