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1.
介绍了邢钢LF钢包精炼炉自动化控制系统的结构和特点,以及自动化新技术在该系统中的应用。并针对类似工程在运行中出现的问题,对关键仪表的选型提出了改进意见。 相似文献
2.
采用超声辅助超临界CO2方法制备石墨烯,经3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)改性后,采用"预混合"的方法,得到硬脂酸/石墨烯母料。通过机械共混法制备天然橡胶(NR)/改性石墨烯(GNs)与丁腈橡胶(NBR)/GNs复合材料。通过分析复合材料的导热性能、热管理性能和压缩生热性能的变化情况,验证石墨烯的性能与硬脂酸/石墨烯"预混合"对石墨烯分散的影响。结果表明,添加3份GNs时,NRC-3、NBRC-3的导热性能分别提升了108%和194%,压缩温升降低了8. 9℃和9. 9℃。该方法制备的石墨烯导热性能优秀,硬脂酸/石墨烯的"预混合"有效改善了石墨烯在聚合物中的分散性。 相似文献
3.
用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm2/(V·s),二维电子气浓度为1.0×1013cm-2,77K迁移率为2653cm2/(V·s),二维电子气浓度为9.6×1012cm-2的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm)的室温非本征跨导为186mS/mm,最大漏极饱和电流密度为925mA/mm,特征频率为18.8GHz. 相似文献
4.
用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2×1017cm-a,相应的电子迁移率为177cm2/(V·s);GaN(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为6′;AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为730cm2/(V·s),相应的电子气面密度为7.6×1012cm-2;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管(HFET)室温跨导达50mS/mm(栅长1μm),截止频率达13GHz(栅长0.5μm). 相似文献
5.
用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为10 35 cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为1.0×10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为2 6 5 3cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为9.6×10 1 2 cm- 2 的Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm )的室温非本征跨导为186 m S/m m,最大漏极饱和电流密度为92 5 m A/m m,特征频率为18.8GHz. 相似文献
6.
7.
8.
Si衬底和Si-SiO_2-Si柔性衬底上的GaN生长 总被引:2,自引:3,他引:2
使用MBE方法在Si(111)衬底和Si SiO2 Si柔性衬底上生长了GaN外延层 ,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析 .在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层 ,其表面粗糙度为 0 6nm .研究了GaN外延层中的应力及其光学性质 ,光致发光测试结果表明柔性衬底上生长的外延层中应力和杂质浓度明显低于直接生长在Si衬底上的样品的值 .研究结果显示了所用柔性衬底有助于改善GaN外延膜的质量 相似文献
9.
射流是一种有效的强化传热方式,随着微机械的快速发展近年来受到了广泛的关注.该文用实验和数值计算的方法研究了周期性边界条件下射流冲击形状记忆合金表面的温度场瞬态分布规律.主要分析了射流速度、喷距以及射流周期对驻点以及附壁射流区温度分布规律的影响.结果表明,射流速度越大、喷距越小、射流周期越长,形状记忆合金温度的波动范围也就越大,而且其表面温度在交变的冷热射流作用下也呈现一个明显的周期性变化规律.对比发现,表面温度波动范围完全超过了形状记忆合金的滞后温差.实验与数值计算结果吻合较好,研究结果对于以形状记忆合金作为热驱动元件的设计具有一定的指导意义. 相似文献
10.
介绍了首钢迁钢2160mm热轧工程电气及自动化系统主要设施及重要设备的概况,全厂供配电设施、设备装机容量、主传动设备主要技术特点、轧线自动化技术水平及特殊仪表应用情况。 相似文献