高填充碳化硼/聚乙烯醇纤维制备及中子防护性能研究

利用表面修饰手段在B₄C粒子和聚乙烯醇(PVA)基体之间构造大量氢键以增强两相相互作用,并采用湿法纺丝技术成功制备出高填充B₄C/PVA纤维及其织物,使其同时具有中子防护和透气透湿性。结果表明,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)均匀包覆在B₄C粒子表面并与OP-10发生烷基尾部缠连,使高填充B₄C粒子在PVA纺丝液悬浮稳定、纺丝工艺稳定,获得了填充量高达50%的B₄C/PVA纤维及其纺织面料。(纺织面料的中子防护和透气透湿需要提供)50%B₄C-CTAB-OP-10/PVA织物的单层中子屏蔽率为49.43%,为穿戴舒适和辐射防护安全的制品提供了新的解决方案。     

PLZT纳米陶瓷粉末的合成及表征

通过溶胶喷雾热解法合成PLZT(10/65/35)陶瓷粉末,通过热分析仪、X射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)对样品进行分析。研究表明,前驱体经过900~1 000℃的烧结能得到单一的PLZT晶体;当烧结温度超过1 100℃,PLZT陶瓷发生相变,分解为ZrO_2和Pb_(0.64)La_(0.206)Ti_(0.949)O_(2.846);扫描电镜(SEM)分析表明PLZT粉末样品颗粒饱满、粒径均匀,为纳米晶体;透射电镜(TEM)分析结果表明PLZT晶粒呈现球状,晶粒为多晶结构。