分子动力学方法的模拟参数对结果的影响

主要研究了利用分子动力学方法(MD)模拟等离子体与材料表面相互作用过程时分子动力学方法的参数对模拟结果的影响.详细分析了Berendsen热浴的应用时间、耦合强度和模拟时间量(单个轨迹的作用时间、弛豫时间)对模拟结果的影响,结果表明,热浴的应用时间对模拟结果的影响很大,而其它参数对模拟结果没有太大的影响.     

分子动力学模拟样品温度对F刻蚀SiC的影响

利用分子动力学模拟方法研究了在低能F原子刻蚀SiC表面过程中样品温度对刻蚀的影响。由模拟结果可知,随着温度的升高,F在样品表面的沉积量和散射量均呈下降趋势,而发生溅射的F的量和与样品作用生成挥发物质的F的量逐渐增加。Si的刻蚀量均随着温度的升高而升高。样品中Si原子的刻蚀主要是通过生成SiF4得以实现的,C原子的刻蚀主要是通过生成CFx(x=1～3)等挥发性物质实现的。     

IBAD MoS2—Ta复合膜的氧化行为研究

用ＸＰＳ分别检测了在去离子水中浸泡１５８ｈ以及在４３０℃高温加热１ｈ的离子束辅助沉积ＭｏＳ２－Ｔａ复合膜中Ｍｏ与Ｓ元素的电子结构。发现在浸泡和４３０℃高温环境,ＭｏＳ２－Ｔａ复合膜的抗氧化特性远优于同样条件下沉积的纯ＭｏＳ２复合膜。结合ＴＥＭ,ＡＥＳ和ＸＰＳ对ＭｏＳ２－Ｔａ膜的形态,结构,组成以及元素的化学态进行的观察和分析,讨论了这种膜抗氧化性能提高的可能机制。     

Ar~+与氟化的Si样品相互作用机制的研究:分子动力学模拟

采用分子动力学方法模拟了Ar+与表面含有C,F反应层的Si样品的相互作用过程,以了解Ar+与氟化的Si的作用机制。为了和相对应的实验结果做比较,选择了两种样品,表面富F样品和表面富C样品。模拟结果表明,对于表面富F样品,能清楚地看到Si的刻蚀且随着入射能量的增加Si的刻蚀增加。当入射Ar+数量到达一定程度后Si的刻蚀完全停止。对于富C样品,几乎没有发生Si的刻蚀,这是由于Si-C键对Si的刻蚀起阻碍作用。