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1.
一、前言本文所介绍的标定激波管,专用于压力传感器作动态性能标定。由标定激波管试验可以得到压力传感器的上升时间、过冲比、自振频率、阻尼比和动态灵敏度等参数。测压管道和二次仪表的动态参数,也可由标定激波管试验获得。国内现有的一些标定激波管多数是7~8米长的大设备。最近我们研制了一台袖珍台式标定激波管,总长仅2米,具有占地小、投资少、用气省、操作方便和实验周期短等优点。  相似文献   
2.
科学技术必须和生产实践相结合 《今日电子》是一本中美合办的介绍电子产品的刊物,它像一面橱窗折射出美国电子行业精湛的工艺技术。对比中国的电子产品,根本差距在制造工艺。科技发展到了今天,先进的工艺技术已不再是生产实践的经验总结,而是新原理、新技术的有机组合在产品生产上的具体体现,是科技转化为生产力的终点站,是创造社会财富的发动机。  相似文献   
3.
笔者曾介绍过笔者和冯劲松等人做过铝、铜、不锈钢试件在升降温条件下的称重实验。实验表明,升温后试件的称重会减轻、降温后会变重。此外,加热后的试件冷却恢复到加热前的室温时,其称重处于减轻状态,其称重恢复到原值必须经过一段过渡时间。笔者把这一现象暂称为“物体称重随温度变化后的滞留效应”。[第一段]  相似文献   
4.
CMOS图像传感器取代CCD器件指日可待   总被引:2,自引:0,他引:2  
一、一个新的产品方向出现 近来一些媒体陆续报道了CMOS图像列阵传感器的进展情况,集中的话题是CMOS摄像器件何时取代CCD摄像器件? 事实上,最近OmniVision公司推出的OV7500和OV7000系列的CMOS摄像单片机已冲破CMOS图像传  相似文献   
5.
科学新闻   总被引:1,自引:1,他引:0  
中国科学院范良藻教授在重庆亲临现场观看刘武清有关永磁体相吸时,磁体重量增加约千分之二,相斥时减轻约万分之四的实验全过程;同时还观看了冯劲松用红外测温仪测量永磁体相吸时的表面温度变化,与样品原有的温度环境对比,样品有一个升温和降温的过程。在室温是13.6℃时样品表面温度最高升温有7~8℃之多,随着样品材料的不同,低的也有2~3℃左右。全过程从升温到降温到复零,再降温,最后再复零,全过程达到二十分钟之多。经过专家咨询和查新,尚未发现有类似的记载,因此,它有可能是两个崭新的、从未被人发现过的物理现象。我们将通过国家计量单位验证和科学技术信息中心进一步查新。  相似文献   
6.
CMOS图像传感芯片除了可见光对红外非可见光波也有反应,在890~980纳米范围内其灵敏度比CCD图像传感芯片的灵敏度要高出许多,并随波长增加而衰减的梯度也慢一些。如能设计制造1微米(1000纳米)到2~  相似文献   
7.
文献[1]提出每一个光量子hf都由个数不同的N(λ)个单光子组成的假设,并在已公布的氢光谱的数 据中找出和不同hf的光量子相对应的N(λ)值和单光子的质量。文章报告了进一步发现光量子hf的波长与N(λ) 的乘积在某些特定条件下是一个不变量ζ=N(λ)λ[2]这一特征现象,从而破解了波粒二象性近百年之迷端:所 谓光量子的波长不过是相邻两个单光子的间距,而频率f则是在单位时间内通过空间坐标某处单光子的个数, 并用单光子的数形结构导出所有惯性系中光速c=λf都是不变的结论。狭义相对论的光速不变原理,不再是一 个  相似文献   
8.
CMOS图像传感器   总被引:3,自引:0,他引:3  
<正> 图像传感器是传感技术中最主要的一个分支,是PC机多媒体大世界今后不可缺少的外设,也是保安监控产业中最核心的器件。在知识经济和信息社会已经到来的今天,它在我们的社会生活和个人生活中会有数不胜数的应用。 CMOS图像传感器和CCD摄像器件在20年前几乎是同时起步的。由于CCD器件有光照灵敏度高、噪音低、像素小等优点,所以在过去15年里它一直主宰着图像传感器市场。与之相反,CMOS图像传感器过去存在着像素大、信噪比小、分辨率低这些缺点,一直无法和CCD技术抗衡。但是随着大规模集成电路技术的不断发展,过去CMOS图像传感器制造工艺中不易解决的技术难关现已都能找到相应解决的途径,从而大大改善了CMOS图像传感器的图像质量。目前CMOS单元面积的像素数已可与CCD单元面积的像素数相  相似文献   
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