排序方式: 共有14条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
<正> 当前,随着分子束外延和金属有机化学汽相淀积两种异质结工艺技术的日趋完善,化合物半导体材料的HBT器件其高频性能不断提高。据报道,GaAs/GaAlAs HBT器件的特征频率f_T已提高到105GHz,用GaAs/GaAlAs制成的环形振荡器其每门的传输延迟时间为5.5ps(室温下),功耗为20mW,这是目前最快的半导体三端开关器件。 在硅HBT器件研究中,近年来的报道集中在a-Si/c-Si异质结界面及其HBT的直流特性上,研究如何利用异质界面的高注入来获得尽可能高的电流增益和低的基区电阻。然而,直到目前仍未见到a-Si HBT高频性能的报道。本文首先报道采用氢化非晶硅发射极,而基 相似文献
3.
接触电阻率测量方法的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
对于金属-半导体欧姆接触,本文介绍了两种接触电阻率的测量方法:两直径法和回归分析法,测量结果较准确.对同一样品,用多种方法测显,比较其结果并对各种测量方法进行了评述. 相似文献
4.
5.
茅保华 《固体电子学研究与进展》1984,(2)
<正>本文简述了金属-半导体欧姆接触的接触电阻和半导体内的扩展电阻的测量方法.金属在半无限大半导体上形成欧姆接触,其总电阻R_t包含接触电阻R_c、扩展电阻R_d和测量系统电阻R_o三部分.可由改进测量方法使R_o忽略不计,进而将R_c和R_d分开,从而较准确地获得了接触电阻率P_c和半导体的体电阻率P_b.直径为d的圆形接触的总电阻是 相似文献
6.
针对器件低内阻下的高灵敏度这一器件特性上的难题,在砷化镓霍尔传感器设计中采用非对称十字形结构。在制作上采用全离子注入平面化技术,获得了在800Ω内阻上大于25mV/AG的高灵敏度。 相似文献
7.
<正> In this paper, we describe the design, fabrication and high frequency performance of an a-Si:H emitter heterojunction power transistor which operates with low supply voltage at ultra high frequency. The packaged transistor can deliver 4.0W cw output power with 72% collector efficiency and 8.2dB gain at 470MHz for 9.0V low supply voltage. This is the best result reported up to now in the area of amorphous silicon emitter hetero-juction microwave power transistors. 相似文献
8.
9.
<正>GeSi/Si异质结构材料因其物理特性及其与硅平面工艺的相容性,是制备一系列高频、高速、低温器件的新型半导体材料,可用于通讯、雷达、遥感、计算机、低温电子学等领域。 南京大学与南京电子器件研究所合作,在国内首次研制出GeSi-HBT器件。该器件结构如图1所示。在N~+-Si(100)衬底上外延n-Si层作为集电区,采用快速辐射加热/超低压化学气相淀积(RRH/VLP-CVD)外延方法制备掺硼的GeSi基区,用PECVD方法生长掺磷的p-Si:H发射区。工艺上采取了一系列措施,完成了GeSi-HBT器件的制备。 相似文献
10.