场效应—双极型复合管及其在稳压电路中的应用

由双极型晶体管组成的复合管具有高的电流增益,在各种电子电路中得到广泛的应用。但这种复合管仍是属于电流控制元件,输入阻抗不够高,在某些应用中还感到不足。由场效应管和双极型晶体管组成的复合管是一个电压控制元件,具有极高的输入阻抗,耦合连接方     

直流稳压电源的h参数等效电路分析

工业自动化装置、电子仪器、仪表的不断发展,对各种直流稳压电源的质量指标提出越来越高的要求。稳定度与动态内阻是考核和鉴定稳压电源质量的二个重要参数。但在串联型稳压电源中,调整电路与比较放大器往往相互交错在一起,比较放大器的输入回路是调整电路负载的一部分,而放大器的负载又与调整元件的输入端相连,它相当于一个多级的负反馈直接耦合放大电路。本文从串联型稳压电源h     

超纯水设备中的反渗透膜

随着半导体器件、集成电路及半导体材料生产的发展,对所使用的纯水的水质要求越来越高.它对微粒、细菌、总有机碳等有害杂质的控制极其严格,要求水质接近理论纯,水的电阻率达18MΩ·cm.国内外把这种高质量的纯水称为超纯水.七十年代国外在超纯水制备中采用了反渗透技术,并辅以离子交换、微过滤、紫外杀菌等方法,使超纯水的质量水平有很大的提高,有力地保证了集成电路工业发展的需要.     

硅单晶电阻率不均匀度的测试误差分析

硅单晶电阻率不均匀度是衡量硅材料质量的一个重要的参数,它对半导体器件生产的稳定性、重复性乃至器件的质量参数指标都有着明显的影响.随着半导体工业的发展,对硅单晶电阻率不均匀度的要求也越来越高.因此,国内外的半导体工作者为提高硅材料电阻率的     

晶闸管零触发交流开关

随着晶闸管技术的发展及元件质量的不断提高,电力电子装置在国民经济各部门得到了越来越广泛的应用。但是采用移相触发的晶闸管交流调压装置,往往在晶闸管导通的瞬间使电网电压出现塌陷,产生高次谐波。分析表明,用晶闸管交流调压装置对电阻炉供电时,当控制角α=90°,产生的三次谐波电流可达基波电流的50％,五次谐波可达基波的1/6。这些谐波分量引起电网电压畸变,功率因数下降,给其它用电设备和通讯系统的工作带来不良影响。为此,人们研究了各     

反渗透系统后置离子交换床运行状态及分析

根据反渗透产水的特点,提出了按反渗透产水的总可交换阴离子与总可交换阳离子的比例来确定反渗透后置混床阴、阳树脂的配比,并对反渗透系统后设置脱气塔,后置阴床的OH-的累积、漏Na 等问题作了分析.     

中空纤维超滤系统的水锤分析及防护

超滤系统的物理清洗是通过阀门频密开启和关闭、水泵的交替起动和停机来实现的,这使液体流速产生急剧变化;并引起很高的水锤压力,造成管道及膜元件损坏.分析了超滤系统出现关阀水锤及停泵水锤的成因,提出相应的防护措施.     

硅片背面处理对弯曲度影响的试验分析

随着大规模集成电路集成度的不断提高,加工线条越来越细,对硅抛光片的弯曲度要求也越来越高。1985年联邦德国瓦克公司的产品标准中,3英寸硅抛光片弯曲度的典型值为15μm;4英寸硅抛光片弯曲度的典型值为20μm。而1986年瓦克公司的产品标准,3英寸硅抛光片弯曲度的典型值小于     

硅单晶晶向偏离方向的确定方法

为了获取较快的外延生长速率及减少层错,作外延衬底用的硅片需要离取向(111)面偏离一个角度。例如,作TTL数字集成电路用的(111)硅片需要晶向朝着(110)晶面有3±0.5度的偏离。作其他半导体器件用的硅单晶片的晶向亦有各种不同的偏离要求。下面介绍几种(111)硅单晶片偏离方向的确定方法。 1.根据晶体的生长棱线来定向及切割向〔110〕偏离的(111)硅片众所周知,表现单晶方向性的一个最明显的几何特征就是单晶棒的棱线。按〔111〕方向生     

两级反渗透系统加碱调节pH值的分析

本文根据水中碳酸平衡原理分析了反渗透系统产水pH值的变化,得出pH值下降量等于系统对HCO3^-透过率的负对数的结果,并导出了在两级反渗透系统中加碱调节pH值至8.3加碱量的计算公式,可供系统设计和调试参考。