采用Σ△调制技术的双信道音频脉码调制编/解码器

本文描述了一个符合AT＆T/CCITT规范的双信道Σ△音频编/解码器。其数字信号处理部分为可扩展到适应更高位数分辨率的位片结构。每个信道的有效面积为13mm~2,采用1.5μmCMOS工艺。它只有一个电源,其最大功耗为每信道90mW。信道之间的串扰小于-70db。     

高阻硅作衬底的短沟p—MOS晶体管

文章从定性方面研究了在高阻硅(3～10Ω·cm)衬底上,用3μmCMOS工艺制作的短沟(2.5～25μm)pMOS晶体管的性能,特别是这些器件用于模拟场合时在本体(|V_(gs)|>|V_r|)下的噪声性能。两种模式的噪声性能都用1/f噪声(谱频达约100Hz)和由衬底决定的白噪声来表征。研究了它们在导通区和关断区的性能。模拟和实验数据表明,这些晶体管具有二次线性区(称之为准线性区)而不是通常理论所描述的饱和区。     

等离子源及腐蚀技术发展趋势

由美国真空协会组织,在加州大学伯克利分校召开的“集成电路(IC)制造中的高密度等离子技术及其工艺”专题讨论会(AVS/Berkely会议),于去年(1990)9月结束。这次会议的各小组会集中讨论了新等离子源,主要的美国工艺设备制造厂家都     

中国家电行业标准崛起模式

从国际关系的角度来看，一系列中国家电行业标准的出台是中国加入WTO以后向世界发出的一个信号：中国将更加主动地去融入世界。     

SiGe层中载流子迁移率研究简况

近些年来的研究结果认为,用Si_(1-x)Ge_x伪晶作成的异质结晶体管是采用硅工艺制作的高速高频器件的最大竞争对手。它的发展速度很快,在很短的时间内就从实验室内的珍品发展成为以硅工艺为基础的速度最快的双极晶体管,不仅设计制成了n-p-n和p-n-p管,而且制成了Si_(1-x)Ge_x伪晶异质结晶体管(PHBT)的集成电路,并获得满意的结果。采用二维漂移扩散(DD)模拟和一维流体学模拟(HD)来分析这类晶体管的高频性能,证明它们的f_r为70GHz左右。     

如何估算家居装饰造价

目前,家居装饰已进入老百姓的正常消费领域,而造价则是家居装饰中的焦点之一。在装饰以前,对装饰造价进行初步估算,对于量入为出、保证施工质量和施工进度,使有限的资金发挥最大的效能十分重要。 一、影响造价的主要因素 1.装饰项目和工程量的多少是影响造价的直接因素。在装饰前首先要确定装饰内容,根据内容再准确计算工程量(工程量中包含工和料)。 2.装饰工程的难易程度和精     

半导体用超薄介质膜的生长和特性

随着集成电路器件物理尺寸的减少,介质膜的厚度也必然相应减少。而介质膜厚度的减小又会产生一些不希望有的物理的和电学的效应,特别是通常采用的二氧化硅介质膜厚小于15nm时,这些影响更为突出。在介绍这类薄二氧化硅的生长动力学和特性时,还分析了用氮氧化硅或氮化硅来代替二氧化硅的可能性,并对这种介质的性质及其在未来半导体工艺中应用的可能性作了比较。     

15十位转换器的噪声整形编码器拓朴

本文介绍了可用标准数字集成电路工艺集成的高精度噪声整形转换器的一种新颖的拓朴。这种拓朴采用一个多位噪声整形编码器和一种新式的动态元件匹配,以实现高精度和长期稳定性,而毋需采用精密的匹配元件。采用一个3位量化器和一个动态元件,匹配内部D/A转换器的4级噪声整形D/A变换系统,用标准的两次金属3μCMOS工艺制造,可达到16位动态范围,其谐波失真低于-90db。这种多位噪声整形D/A变换系统所达到的性能可与工作于约为其时钟频率四倍的1位噪声整形D/A变换系统的性能媲美。