LPCVD氮化硅薄膜的化学组成

分别采用X光电子能谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)、傅立叶红外光谱(FTIR)以及弹性反冲探测(ERD)等方法,分析了三氯硅烷-氨气-氮气体系低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅(SiNx)薄膜的化学组成,并利用原子力显微镜(AFM)观察了SiNx薄膜的表面形貌.XPS分析结果表明,当原料气中氨气与三氯硅烷的流量之比小于3时获得富Si的SiNx薄膜,当流量之比大于4时获得近化学计量的SiNx薄膜(x=1.33).AES深度分析与XPS分析结果很好地吻合,在835cm-1产生的强红外吸收峰表明Si-N键的形成,ERD分析表明所制备SiNx薄膜中的氢含量很低(1.2at.%).AFM分析结果表明,所沉积的SiNx薄膜均匀、平整,薄膜的均方根粗糙度RMS仅为0.47nm.     

耐火级氮化硅粉末的球磨特性

研究了耐火级氮化硅粉末的球磨性能,起始耐火级氨化硅粉末中含有大量的柱状β－Si_3N_4颗粒,其球磨性能差于常用的α－Si_3N_4。粉料,球磨相同时间仍残留有大量不利于烧结的柱状颗粒,但是通过延长球磨时间可以得到由球状颗粒组成的粉料,而延长球磨时间对起始粉料中的氧含量和杂质含量影响较小。     

烧结技术与氮化硅陶瓷显微结构研究

以文以编号为ＳＰＮ氮化硅与编号为Ｍ２０，Ｍ５０的Ｓｉａｌｏｎ材料为例在无压烧结，气烧结和热等静压烧结等工艺条件下进行烧结，测试了材料性能，用ＳＥＭ，ＥＭ和Ｘ衍射等分析手段观察材料的显微结构和相组成，及其对材料性能的影响进行了讨论。     

微管道内的剪应力传感器

制作了一个微管道内的剪应力传感器,该传感器通过热传递的原理工作.采用硅微加工技术制作微管道,在玻璃上通过溅射方法形成钛铂合金热膜,最后将两者键合封装,形成埋置了热膜的封闭微管道.测量了热膜的电阻温度系数,确定了热膜处于不同输入功率下的过热比.对该剪应力传感器进行了方波实验,确定其工作在不同过热比下的时间常数.对传感器进行实验标定,得到不同进出口压差下,微管道内的壁面剪应力大小.     

(TiB2,TiN)-Si3N4基复合材料的性能及显微结构

研究第二相粒子的引入对氮化硅陶瓷材料性能和显微结构的影响,结果发现：ＴｉＮ粒子的引入;对材料能起到协同增韧的作用,而ＴｉＢ２粒子由于与氮化硅颗粒表面的ＳｉＯ２发生反应,导致复合材料不致密,引起力学性能下降。     

烧结技术与氯化硅陶瓷显微结构研究

本文以编号为SPN氨化硅与编号为M(20)、M(50)的Sialon材料为例在无压烧结、气压烧结和热等静压烧结等工艺条件下进行烧结，测试了材料性能，用SEM、EM和X折射等分析手段观察材料的显微结构和相组成，及其对材料性能的影响进行了讨论。     

SiH_4-NH_3-N_2体系LPCVD氮化硅薄膜的生长动力学

以硅烷和氨气分别作为低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅(SiNx)薄膜的硅源和氮源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中,借助椭圆偏振仪和原子力显微镜,系统考察了工作压力、反应温度、气体原料组成等因素对SiNx薄膜沉积速率和表面形貌的影响。结果表明:SiNx薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增加,随着原料气中氨气与硅烷的流量之比的增大单调减小。随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。在适当的工艺条件下,制备的SiNx薄膜均匀、平整。较低的薄膜沉积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度。     

无压烧结制备氧氮化硅陶瓷

以β－Si3N4和ＳiO2粉末为原料,以ＭgAl2O4为烧结添加剂,通过无压烧结制备出致密的Ｓi2N2O陶瓷材料,所得材料由柱状Ｓi2N2O颗粒和少量β－Si3N4颗粒复合组成,研究了烧结温度对材料显微结构的影响,发现材料的断裂大部分是穿晶断裂。