原位合成法制备Ni/Fe共掺杂g-C_3N_4及其光催化性能研究

以三聚氰胺、硝酸铁和硝酸镍为原料,采用一锅法原位制备了一系列Ni和Fe共掺杂的g-C_3N_4(Ni/FeC_3N_4)材料。采用X射线粉末衍射和扫描电子显微镜表征了材料的形貌与结构,采用X射线光电子能谱分析了掺杂离子的化学状态,采用紫外-可见漫反射光谱和光致发光光谱进一步分析了Ni/Fe-C_3N_4的半导体性质。结果表明:所制备的复合材料与纯g-C_3N_4相比具有大的比表面积,Ni/Fe掺杂降低了g-C_3N_4的带隙宽度,抑制了光生电子-空穴对的复合,有效提高了其对甲基橙的光催化降解效率。