排序方式： 共有9条查询结果，搜索用时 31 毫秒
1
1.
采用射频磁控溅射法在[001]取向的掺铌钛酸锶(Nb:STO)单晶衬底上制备Na_(0.5)Y_(0.5)TiO_3(NYT)铁电薄膜,研究了该铁电薄膜的物相组成、显微结构、铁电性能、电输运性能。结果表明:NYT薄膜具有[001]取向的外延结构,其表面平整,界面清晰,结晶质量良好;NYT薄膜具有铁电性能,其剩余极化强度为0.3μC·cm~(-2),矫顽场为178kV·cm~(-1);NYT薄膜/电极界面存在肖特基势垒,反偏状态的肖特基结能够显著降低NYT薄膜的漏电流密度,提高其耐压强度,肖特基结处于正偏状态时的电流传导符合陷阱态控制的空间电荷限制电流机制。 相似文献
3.
几种发射长波红光荧光粉的研究与应用 总被引：2，自引：0，他引：2
介绍了几种发射长波红光荧光粉的物质组成与发光特性,并给出了它们的制备方法。 相似文献
4.
为了总结超高层建筑关键施工技术应用经验,对武汉滨江中心1#楼超高层建筑施工中采用的关键施工技术,包括超高层塔式起重机应用技术、附着式升降脚手架施工技术、超高层混凝土施工技术、超高层施工电梯应用技术等进行分析。分析认为,这些技术的应用保证了该建筑工程的施工效率和质量。 相似文献
5.
利用偏轴射频磁控溅射法, 在(001) SrTiO3(STO)单晶基片上制备了Pt/BiFeO3/La0.5Sr0.5CoO3/STO (Pt/BFO/ LSCO/STO)异质结电容器。研究了BiFeO3薄膜的结构和物理性能。原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)分析表明: BFO薄膜结晶质量良好, 且为单相(00l)外延钙钛矿结构。介电性能测试结果发现: 在5 V驱动电压下, Pt/BFO/LSCO电容器呈现饱和的蝶形回线, 调谐率和介电损耗分别为14.1%和0.19。此外, 阻变机制研究表明: 在0→5→0 V正向电压和0→-5→0 V负向电压下, 阻变均为高阻向低阻转变规律, 呈现为铁电二极管的阻变开关行为。通过I-V曲线拟合, 得到0→5→0→-5 V时阻变机制为空间电荷限制电流陷阱能级的填充和脱陷, 而-5→0 V时符合界面限制的F-N隧穿机制。 相似文献
6.
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO_2/Si(111)衬底上制备了Bi_(0.975)La_(0.025)Fe_(0.975)Ni_(0.025)O_3(BLFNO)铁电薄膜。利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)及其压电模式(PFM)对薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电畴结构进行了研究。研究发现,BLFNO为结晶良好的钙钛矿结构多晶薄膜,且薄膜表面颗粒生长均匀。PFM测试图显示铁电薄膜在自发极化下的铁电畴结构清晰,铁电电容器具有良好的铁电性能。应用铁电测试仪对Pt/BLFNO/Pt电容器进行测量,得到了饱和性良好的电滞回线。在828kV/cm的外加电场下,Pt/BLFNO/Pt电容器的剩余极化强度为74.3μC/cm~2,表明La、Ni的共掺杂没有明显抑制铁电电容器的剩余极化强度,铁电电容器具有良好的铁电性能。漏电流研究结果表明,La、Ni元素的共掺杂有效降低了薄膜的漏电流密度,在277.8kV/cm外加电场下漏电流密度在10-4 A/cm2量级,明显小于纯BFO薄膜的漏电流密度。正半支漏电流曲线满足SCLC导电机制,对于负半支曲线,当电场强度大于22.2kV/cm时,同样遵循SCLC导电机制;但是,当电场强度小于22.2kV/cm时,曲线斜率约为4.8,表明参与导电贡献的电子数较多,归因于极浅陷阱俘获的电子在外加电场作用下参与了导电行为。室温下磁滞回线测试结果表明BLFNO薄膜具有反铁磁性质。 相似文献
7.
8.
9.
1