金属间化合物MgB2电子结构与超导电性的研究

利用正电子湮没实验,结合理论模拟计算研究了金属间化合物MgB2系列样品.结果表明,在不同压强下,样品的电子结构发生了变化,Mg原子层电子向B原子层方向转移,与B原子层面上的空穴载流子复合,导致费米能级降低,其附近的态密度减小,使可配对电子减少;同时由于压力作用,样品材料晶格弹性减弱,电声耦合失匹,抑制了材料的超导电性.最后对激光辐照下的MgB2系列样品进行了分析,可能在一定光剂量范围内,有助于超导电性,过量的光子掺杂将会抑制其超导电性.     

Gd和Sn掺杂BaTiO3陶瓷的介电性能

通过固相反应法制备了掺杂0.5%(摩尔比)Gd和10%(摩尔比)Sn的BaTiO3陶瓷材料,并对样品的介电性能在不同频率、温度下进行了研究.结果表明掺杂之后材料的居里点向低温方向移动,材料的介电常数显著增加.其中同时对BaTiO3的A位掺杂0.5%的Gd,对B位掺杂10%的Sn时,其居里点降至60℃,介电常数在0.005、1、100kHz下的峰值分别达到54000、51000、45000,而对应的tgδ分别为0.053、0.066、0.092.