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1.
1 INTRODUCTIONGallium nitride (GaN) is one of the most po tential semiconductors. GaN has a direct energyband gap of 3.4 eV at room temperature and highexternal photoluminescence quantum efficiency, aswell as a high excitonic binding energy of20 meV[1]. It is an ideal material for fabrication ofultraviolet(UV)/blue/green light emitting diodes(LEDs), laser diodes(LDs), UV detectors and de vices operating in high temperature, high frequen cy and high power co… 相似文献
2.
从理论上分析了光信号的分布形式及分布规律对 CCD 超分辨力位置测量的影响, 以高斯分布和均匀分布信号为例进行了具体分析与比较. 在此基础上提出了一种基于划分一维宏像素计算质心序列点, 通过拟合序列点剔除噪声影响的 CCD 超分辨力位置估计方法, 分析了这一算法的不确定度. 理论与实验表明, 这一算法的位置测量精度达到 0.02 个像素. 实验中通过与边缘拟合法、传统质心法的比较, 表明这一方法具有更强的抗噪声能力和较高的准确性. 相似文献
3.
在基于计算机视觉技术的非接触式人机交互系统中,为了快速推断使用者指示的目标位置,提出一种无需显式求解摄像机参数的指示位置判别方法.利用目标平面上的已知点及其对应的摄像机成像点,求解目标平面和摄像机像平面间的单应矩阵,将目标平面卜相交于指示点的两条直线与像平面上的对应直线联系起来,从而通过检测图像中的特定直线推断指示点的... 相似文献
4.
分布交互体系结构如DIS、HLA、TENA等解决了各自领域内的互操作问题,但体系结构间不一致的数据格式、不匹配的元模型和不同的仿真服务等因素阻碍了体系结构系统间的互操作。通用网关可将不同体系结构的仿真系统互联,通过通用数据交换模型实现异构系统间对象模型间的互操作,是当前最理想的互联方法。设计的通用网关架构包括接口服务、通用数据交换模型、模型映射模型和状态池,其中通用数据交换模型是网关具有通用性的关键。通过HLA-TENA原型系统的试验,验证了通用网关的性能,找到了影响网关性能的主要因素。 相似文献
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6.
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3 薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下ZnO层在氨气的气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米管.X射线衍射(XRD)测量结果表明利用该方法制备的GaN具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用傅里叶红外光谱(FTIR)研究了所制备样品的光学性质.利用透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)观测了样品的形貌和晶格结构. 相似文献
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10.
Si基氨化ZnO/Ga2O3薄膜制备GaN纳米线 总被引:1,自引:0,他引:1
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜,然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3薄膜进行氨化,高温下ZnO层在氨气气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米线.X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN纳米线具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、傅里叶红外透射谱、能量弥散谱及选区电子衍射观测并分析了样品的形貌、成分和晶格结构.研究发现ZnO层的挥发有利于Ga2O3和NH3反应合成GaN纳米线. 相似文献