非贵金属多孔Mo2N纳米带催化剂的制备与电解析氢性能研究

采用水热法和氮化法相结合的手段,在优化的实验条件下,获得了生长在导电碳纸上的多孔氮化钼(Mo2N)纳米带阵列.首先采用水热法在碳纸上原位合成了高密度的MoO3纳米带阵列.随后的氮化反应遵循固态拓扑反应机理,形成了具有密排介孔的Mo2N纳米带阵列.Mo2N/C不需要粘合剂可以直接作为电极使用.在不负载贵金属的情况下,Mo...     

钒掺杂氧化钨纳米线的制备与电致变色/储能性能

与Nb同族的V元素离子半径略小于W离子的半径，掺杂V元素可以提高氧化钨纳米线的离子扩散速率和结构稳定性。采用磁控溅射法和水热法制备V掺杂氧化钨纳米线薄膜，并通过场发射扫描电子显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜、X射线光电子能谱和电化学测量装置探究不同V掺杂量对样品形态、成分以及电致变色性能等方面的影响。结果表明：通过适当的V掺杂，样品的光学性能得到了提升。当V掺杂量为0.1%(原子分数)时，氧化钨薄膜表现出最佳的电致变色性能。晶面间距、V—O键的加强和氧空位浓度等因素是影响氧化钨薄膜电致变色性能的关键因素。本工作将为V掺杂氧化钨纳米线结构作为电致变色材料和器件的研究提供有益参考。     

钒掺杂氧化钨纳米线的制备与电致变色/储能性能EI北大核心

与Nb同族的V元素离子半径略小于W离子的半径,掺杂V元素可以提高氧化钨纳米线的离子扩散速率和结构稳定性。采用磁控溅射法和水热法制备V掺杂氧化钨纳米线薄膜,并通过场发射扫描电子显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜、X射线光电子能谱和电化学测量装置探究不同V掺杂量对样品形态、成分以及电致变色性能等方面的影响。结果表明:通过适当的V掺杂,样品的光学性能得到了提升。当V掺杂量为0.1%(原子分数)时,氧化钨薄膜表现出最佳的电致变色性能。晶面间距、V—O键的加强和氧空位浓度等因素是影响氧化钨薄膜电致变色性能的关键因素。本工作将为V掺杂氧化钨纳米线结构作为电致变色材料和器件的研究提供有益参考。