水解法制备M-VO_2纳米粉体

以VOSO_4和NH_4HCO_3为原料,采用水解沉淀法制备M-VO_2纳米粉体;借助TGA-DTA,XRD,IR和TEM等方法对VO_2形成机理进行了分析.结果表明:在226℃之前,VOSO_4的水解产物脱去物理吸附水,失重率达13.19%(质量分数),在226～415℃,脱去—OH基团,形成无定形VO_2;在DTA曲线上,375.7℃附近的放热峰为无定形VO_2向B-VO_2转变时的析晶峰;继续提高热处理温度和延长热处理时间,B-VO_2逐渐转变为M-VO_2.VO_2前躯体在氩气保护下500℃热处理3 h,即得到高纯度M-VO_2纳米粉体,其颗粒直径为25～80 nm,且大部分为单晶,相变温度为68℃.     

VO_2(M/R)复合薄膜的研究进展

VO2(M/R)薄膜相变前后的红外透过率、电阻率变化显著,在光学、电学开关等领域极具应用潜力。VO2(M/R)复合薄膜能克服纯相材料本身的不足,还可以引入新的性能和结构。综述了VO2(M/R)复合薄膜的特点和主要性能,总结了薄膜的复合方式,讨论了复合薄膜制备中存在的问题,并结合近年的相变机理、制备工艺、复合方式等报道展望了VO2(M/R)复合薄膜的研究发展前景。     

氧化亚锰/石墨烯复合材料的简易合成及其高效储锂性能(英文)

在不添加锰源的情况下,将改进Hummers法制备的硫酸锰/氧化石墨烯悬浊液直接通过NaOH碱溶液原位沉淀形成四氧化三锰/氧化石墨烯复合物,并在氢气气氛下处理得到氧化亚锰/石墨烯复合材料。将该复合材料用于锂离子电池的负极材料,锂离子电池性能优良。在100mA·g-1电流密度下,其比容量达到870mAh·g-1,明显高于相同电流密度下氧化亚锰的比容量(456mAh·g-1)。即使在1600mA·g-1的高电流密度下,其比容量达390mAh·g-1。这种简单、高效的合成方法可为合成锰基氧化物和石墨烯的复合材料提供一种新思路。     

无机溶胶-凝胶法制备B型和M型VO2粉体

以V2P5为原料,采用无机溶胶-凝胶法制备出V2O5粉体,在H2气氛下热处理得到了VO2(B)粉体,再在Ar气氛下热处理VO2(B)粉体,制备出了VO2(M)粉体.采用X射线衍射(XRD)、红外吸收光谱(IR)、差热分析(DTA)等方法对样品进行了成分和结构分析,结果表明,当热处理温度为500℃、H2浓度50%时,得到VO2(B)粉体;然后,在Ar气氛下分别经过550、600、650、700℃处理1h后,VO2由B型向M型转变,700℃处理成功制备出了VO2(M)粉体.