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利用傅立叶红外光谱(FTIR)测试技术,研究了掺锗CZSi的低温和常温红外吸收光谱。发现高浓度Ge掺入CZSi在红外吸收光谱中引起的波数为1118cm^-1、710cm^-1,和800cm^-1,的新红外吸收峰,这些峰的吸收强度随Ce含量的增加也逐渐增强;碳的红外吸收峰(607cm^-1)则向低频方向移动。同时利用X射线单晶衍射技术(SCXRD)测定了SiGe(Ge:10wt%)单晶的晶格常数,结果表明晶格常数由Si单晶的0.54305nm变为0.5446nm。 相似文献
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利用扫描电镜能谱分析法,对CZ法生长的掺锗浓度不同的硅锗单晶中锗浓度进行了测定,结果发现硅中锗的纵向分布是头部浓度较低,尾部锗浓度较高.根据测定的浓度计算出了该工艺条件下硅锗体单晶中锗的有效分凝系数为Ke≈0.60~0.65. 相似文献
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废旧产品资源回收过程决策方法研究 总被引:3,自引:1,他引:3
废旧产品作为一种固体废物 ,不仅处理难度大 ,而且处理成本高 ,已成为全球所面临的一大难题。本文建立了基于智能体的回收工艺决策模型 ,探讨了以专家系统支持的单步工艺决策和基于实例推理的网络路由搜索的自动回收工艺路线生成算法 ,分析了系统的实现过程与方法 ,最后以废旧电冰箱的回收过程为例进行了验证。 相似文献
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双光子吸收光致变色三维光存储实验研究 总被引:10,自引:2,他引:8
介绍了双光子吸收光致变色光存储的存储原理,利用单光束双光子吸收三维光存储和反射式荧光共焦扫描读出实验装置,分别进行了写入激光功率、曝光时间和存储深度不同时双光子吸收光致变色三维光信息存储特性(读出信号强度和存储点尺寸)的实验研究。结果表明,读出信号强度主要取决于写入时的激光功率和曝光时间。读出信号强度在激光功率较低时与写入激光功率的平方成正比,而当写入激光功率大于一定值时,读出信号强度达到了饱和。读出信号强度随着曝光时间的增加也明显地呈现出饱和效应。此外,读出信号强度随着存储深度的增加明显地减弱了。存储点尺寸随着写入激光功率的增大、曝光时间的增长也迅速增大。较高的写入激光功率和较短的曝光时间有利于信息的高速存储。 相似文献
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