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采用真空蒸发的方法制备了PAR薄膜,研究了不同外电路参数下薄膜的电双稳特性。发现薄膜在从高阻向低阻转变时会经历一个短暂的具有非线性阻抗的中间态,并且在整个转变过程中存在一种能量效应,即当外加电压超过某一值时,完成转变所需的能量不变。 相似文献
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采用真空蒸发的方法交替沉积Ag和TCNQ分子制备了Ag TCNQ金属 有机络合物薄膜 ,并研究了多种外加电压激发下膜的电阻转变特性。发现在转变过程中存在着一种能量效应 ,即当外电压超过某一阈值后 ,完成转变的能量不变。对此现象的可能解释是薄膜内分子在一定的外部电场能量诱导下发生重排 ,致使电导率发生跃变 相似文献
3.
采用外加恒电位下腐蚀电流-温度扫描方法研究了在0.5%Cl^-溶液中,SO4^2-浓度对316不锈钢点腐蚀行为的影响.结果表明,随着SO4^2-浓度的增加,钝化电流增加,开路电位降低.当SO4^2-浓度低于0.42%时,316不锈钢的临界点蚀温度比不存在SO4^2-时的临界点蚀温度低;当SO4^2-浓度大于0.42%时,临界点蚀温度比不存在SO4^2-时的临界点蚀温度高.从离子竞争吸附的角度进行分析,对SO4^2-加速与抑制点蚀两种作用规律的形成原因进行了解释. 相似文献
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不锈钢点蚀花边盖脱落与稳定生长 总被引:1,自引:0,他引:1
不锈钢在含Cl-的溶液中常萌生表面呈多孔花边盖状(Lacy cover)蚀孔,在花边盖下的蚀坑内表面隐藏着不断侵蚀,这种有趣的点蚀常加剧材料的失效.采用精细316 ss微电极面积调控形成单一点蚀孔来研究点蚀,获得其点蚀发展的动力学数据,根据Fick扩散定律可知点蚀稳定生长条件为蚀坑内电流密度(i)与深度(a)之积存在一个点蚀稳定范围.并用新的超声电解池证实花边盖对亚稳态点蚀的生长的作用. 相似文献
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Cl离子对 304、316不锈钢临界点蚀温度的影响 总被引:6,自引:0,他引:6
采用外加恒定电位下腐蚀电流-温度扫描的方法分别研究了304、316不锈钢在不同浓度NaCl水溶液中的临界点蚀温度.得到了材料临界点蚀温度随Cl-浓度变化的关系曲线.在分析温度与Cl-浓度分别对钝化膜影响的基础上阐述了二者对不锈钢点蚀的综合作用机理. 相似文献
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0Cr25Ni7Mo4、316与304不锈钢临界点蚀温度研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用外加恒定电位下腐蚀电流-温度扫描方法研究了0Cr25Ni7Mo4、304和316不锈钢在1 mol/L NaCl水溶液中的点蚀行为。利用不锈钢临界点蚀温度评价了材料的耐点蚀性能.测得0Cr25Ni7Mo4和316不锈钢的临界点蚀温度分别为79.5 ℃和15 ℃,304不锈钢在0 ℃以下.对0Cr25Ni7Mo4不锈钢材料优良耐点蚀性能的原因进行了分析讨论. 相似文献
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通过表面机械研磨处理(SMAT)技术在纯Fe上制备纳米结构表层。利用X射线衍射(XRD)表征其平均晶粒尺度,使用氢脆技术表征样品表面机械研磨层的微观组织结构,用二次离子质谱仪(SIMS)测量Al在SMAT纯铁纳米结构表层中的扩散性能。结果表明,经过SMAT处理纯Fe表层形成平均尺寸约为31nm的组织。在300-380℃范围内Al在SMAT制备纳米晶Fe中的扩散系数比Al在粗晶纯Fe中扩散系数高6-7个量级。扩散激活能为134kJ/mol,低于传统扩散激活能。扩散性能的提高源于其中具有大量高位错密度的非平衡晶界。 相似文献
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用反应蒸发法制备的掺钼氧化铟 ( In2 O3:Mo,IMO)薄膜在可见光区域的平均透射率 (含 1 .2 mm厚玻璃基底 )超过 80 % ,电阻率最低达 1 .7× 1 0 - 4Ω·cm。采用等离子振荡波长法、van-der-Pauw法和光谱拟合法等三种方法对IMO薄膜和 ITO薄膜的载流子浓度进行了测量和比较 ,结果表明 IMO薄膜的载流子浓度还不到 ITO薄膜的三分之一。因此 ,IMO薄膜对可见光的吸收小 ,有很大的发展空间可以通过提高载流子浓度而进一步提高电导率 ,对近红外线也有较高的透射率 ,有利于拓展透明导电薄膜的应用领域 相似文献
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采用真空蒸发的方法交替沉积Ag和TCNQ分子制备了Ag-TCNQ金属—有机络合物薄膜,并研究了多种外加电压激发下膜的电阻转变特性。发现在转变过程中存在着一种能量效应,即当外电压超过某一阈值后,完成转变的能量不变。对此现象的可能解释是薄膜内分子在一定的外部电场能量诱导下发生重排,致使电导率发生跃变。 相似文献