腐蚀液配方对刻蚀高阻硅多孔阵列结构形貌影响的研究

采用电化学刻蚀方法,在n型高阻单晶硅片上进行有序多孔阵列的制备。就腐蚀液配方的改变对制备的多孔阵列结构的形貌进行观察研究。研究表明,在其它相同的实验条件下,改变组元乙醇的比例,制备的多孔阵列结构形貌会有显著的差别。随着腐蚀液中组元乙醇含量的减小,制备的多孔阵列结构中的孔的表面及断面形貌逐渐显得光滑、平整。当改变腐蚀液配方中的HF浓度时,制备的多孔阵列结构中的孔的大小及深度也随之改变,对此的机制进行了探讨。     

反渗透-正渗透组合工艺处理焦化废水中试研究

焦化废水可生化性差，含盐量高，且含有氰化物、酚类、多环芳烃、脂肪族类化合物等难生物降解的污染物。前期对二级生化出水已采用IM-Fent氧化-超滤预处理，采用反渗透-正渗透进一步深度处理，探究该组合工艺对焦化废水深度处理的效果。试验结果表明，该焦化废水浊度、COD、氨氮、氯离子和TDS去除率分别为96%～100%、91.8%～99.2%、92.6%～97.58%、95.7%～97.66%和97.4%～98.13%,产水水质优于《工业循环冷却水处理设计规范》(GB/T 50050-2017)中再生水水质指标，可作为厂区生产补充水使用。组合工艺总回收率达到85.25%～97.53%,大大高于单一反渗透的回收率，对实现焦化废水的近零排放具有参考价值。