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K(TCNQ)薄膜的制备及其电双稳特性 总被引:2,自引:0,他引:2
在真空环境下,首次利用固态化学置换反应制备了K(TCNQ)薄膜,其分子结构与已报道过的K(TCNQ)单晶、多晶相同。但不同的是,在300K以上,K(TCNQ)薄膜具有可逆的双稳特性。因此预计在光电开关和电双稳存储器方面具有广泛的应用前景。 相似文献
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