包装设计师就是一个综合艺术家——访包装“世界之星”三连冠得主陈国创

1997年11月从捷克首都布拉格传来消息,世界包装组织“’97世界之星”设计大奖评选揭晓,我国包装设计作品有4件获奖,其中河南“卧龙玉液”酒包装榜上有名,设计者陈国创。就是这个陈国创,1994年他首次获得“世界之星”大奖,从英国伯明翰参加授奖大会归来,正巧他来杭州出差,记者有机会采访他,才知道他是河南省新郑卷烟厂高级工艺美术师、科研所所长,他的获奖作品是“金装豫     

国外汽车电子技术发展概况

本文概述了国外汽车电子技术发展状况。介绍了电子在发动机和动力系、安全与舒适方面的应用。着重介绍了微机在发动机控制方面的应用。微机发动机控制主要用于提高发动机效率、节能和排污控制。     

等离子体腐蚀气体:以硅为主要成分的工艺

在微电路图形制作中,电路密度越来越高。这一发展趋势要求许多工艺步骤使用等离子体来进行腐蚀。本文以对硅、多晶硅、二氧化硅和氮化硅、金属和有机物等重要薄膜进行选择腐蚀所要求的一些气体和混合气体为量度,对以硅为主要成分的工艺中的等离子体作业进行了评述。     

日美欧从事SOI研究的主要公司及其活动情况

Allen Clark研究中心 该中心属于英国Plessey研究有限公司,从事SOI研究已有多年历史,研究的主要内容有再结晶技术和氧注入技术。目前的活动集中在氧注入上面,也与英国其他一些单位合作对多孔硅进行有限的研究。研究的主要方向是开发按比例缩小到亚微米尺寸的CMOS兼容VLSI。几年来,该中心的工作者发表了多篇有关再结晶材料,氧注入材料     

确定集成电路销存通道的一些实验方法

本文讨论了确定集成电路锁存通道的一些实验方法,这些方法已用于多种器件工艺。为了寻找锁存敏感区,用了一种可克服小面积束的固有剂量问题的特殊实验结构来进行局部激光辐照。用了两种红外成像方法来寻找激光激发锁存后的电流通道。有一种器件在出现锁存后由于电路的相互作用,电源电流变小,这表明用测量电源电流来检测集成电路的锁存并不是一种始终可靠的方法。     

用横向固相外延在低温下形成SOI结构

本文对用固相外延工艺在低温(550～600℃)下形成绝缘体上硅结构进行了研究。通过微探针(μ)反射高能电子衍射观察发现,固相外延(SPE)的定向晶体生长是从引晶区开始扩展的。分析了随机核化、外延对准和局部掺杂对横向固相外延(L-SPE)产生的各种影响。结果表明,在绝缘区上可获得一个相当大的L-SPE区域,这个区域从引晶区开始可向外延伸14μm。通过使用μ-拉曼能谱分析和场效应晶体管的制作研究了L-SPE层的晶体质量和电特性。其应力场(2.5×10~9达因/cm~2)和高电子迁移率(720cm~2/Vs)可与体硅相比。     

64K位NMOS动态RAM

MOS存储器的高集成度就产品的水平来讲仍然继续以4倍/3年的比例增长。从维持该局面的技术准备情况来看,预计目前这种发展趋势还将继续下去。众所周知,带动这种高集成化技术的牵引车是动态NMOS存储器。动态存储器产品研究重心已开始从16K转向64K。用户强烈希望64K能在IBM公司的新系列中得到应用。但长期以来,半导体厂家并没有满足用户们的这一愿望。其主要原因除了需要微细加工技术的制造工艺和软误差等问题外,还需要考虑所谓的电源电压问题。开始的     

体陷阱对于体沟电荷耦合器件性能的影响

为了避免表面沟道电荷耦合器件中信号电荷与界面态的互作用造成的转移损失的限制,列入了一种体沟电荷耦合器件(BCCD’s)。它最初的名字叫做埋沟电荷耦合器件。运用一种循环本底电荷可以尽量减少这些限制,实际上通过测试已经获得了非常低的界面态密度(1×10~6cm~2·eV)。界面态也会引起与本底电荷无关的转移噪声。在本文里我们将会看到BCCD’s也会受到类似的影响,只是这些影响一般地讲要小些罢了。这些影响起因于信号电荷与体态的互作用。BCCD也曾被称之为蠕动电荷耦合器件,用它来扩大电极下面的边缘场而获得很高的工作频率。     

COMFET——最终的功率器件 功率器件的一般性研究

介绍了一种称为COMFET的新器件。该器件具有成为未来十年控制中等功率的“最终”器件的全部特征。COMFET通过一种称为“电导率调制”的机理克服了标准MOSFET的导通电阻限制这一基本问题,并使器件的电导损耗降低了十分之九。而且,COMFET在-40～+150℃温区敏感的开态电压降较小。研制了n沟和p沟COMFET,两者的开态电压降相同。功率COMFET的研制有了新的进展,开关时间已降到100毫秒的值。