硅单晶电阻率测量中四探针头的测量

一、前言共线四探针电阻率测量方法是国际上公认的标准方法,它广泛地应用于半导体工业中。本文介绍了四探针头对准确测量电阻率参数的影响和四探针头的测量方法。二、四探针头对电阻率测量的影响用共线四探针测量电阻率的基本原理如图1所示。测量时,四根金属探针同时与样品表面压接接触。外侧1、4探针通以恒定电流I,在内侧2、3探针间测量电位差V。根据理论分析,对于半无穷大样品(即样品的几何尺寸比探针间距S_i大很多倍),其电阻率ρ的普遍公式为:     

硅单晶电阻率标准样片的稳定性实验研究

一、引言硅单晶是当前半导体工业中应用最广泛的半导体材料。其电阻率的准确测量是提高半导体器件制造成品率的重要因素之一。目前,我国已研制成功的NIM-IC-I和Ⅱ型硅单晶电阻率标准样片作为统一国内电阻率量值的计量传递标准。其中电阻率稳定性是一项重要的考核内容。本文介绍了电阻率标准样片的稳定性实验研究方法,着重讨论了Ⅱ型标准样片的研究结果。     

NIM-IC型半导体硅单晶电阻率标准样片与NBS的SRM型标准样片的比较实验

通过对中国计量科学研究院(NIM)与美国国家标准局(NBS)研制的硅单晶电阻率标准样片的比较实验研究,获得了标志着标准样片主要性能的方块电阻直径扫描分布曲线、全片等值分布图和大量有用数据。实验结果表明,NIN标准样片的各项性能均达到NBS同类标准样片的水平,其中,径向电阻率不均匀度和标称值偏差两项的指标还优于NBS标准样片。     

硅片四探针电阻率精密测量误差分析

本文详细介绍了厚度为0.5～1.0mm的硅片进行电阻率精密测量的误差分析,讨论了电阻率精密测量时不确定度的计算方法。