4,5-二氮杂芴光电材料的合成及薄膜器件的应用

氮杂芴类是构筑有机、聚合物半导体的重要单元,已经成为塑料电子领域研究的热点.对比芴类单元,二氮杂芴具有配位超分子作用与强电子亲合能双层功能,因此,该类半导体材料延伸了芴类半导体在有机薄膜器件、生物传感以及医学中的应用.目前,4,5-二氮杂芴类材料已被广泛应用于电子传输材料、有机发光类材料、敏化太阳能电池、发光配合物、传感材料及其杀菌材料等方面,文中重点描述了4,5-二氮杂芴光电材料的合成以及薄膜器件应用.     

电极界面修饰对PLEDs器件性能的影响

为了研究阴阳极界面修饰对聚合物电致发光器件（PLEDs）性能的影响,文中以ITO/MEH-PPV/Al为原型器件,研究了氧化石墨烯（GO）或者氟化铯（CsF）阴极界面修饰,GO或者PEDOT∶PSS阳极界面修饰对器件性能改善的影响.结果显示：CsF在修饰阴极界面时起到了主导性作用,使得PLEDs的发光亮度显著提高,而GO在修饰阴极界面时却没有这样的效果;但实验发现,GO有望成为新一代的阳极界面修饰材料,替代PEDOT∶PSS修饰ITO阳极.     

利用MoO3为电极修饰层的F16CuPc/ CuPc异质结的双极性有机场效应晶体管

在本文中,我们利用钛青铜(CuPc)和氟化钛青铜(F16CuPc)作为空穴传输层和电子传输层的制备了具有异质结结构的有机场效应晶体管(OFETs)。与单层的F16CuPc晶体管相比,异质结结构的晶体管的电子迁移率从3.1×10-3cm2/Vs提高至8.7×10-3cm2/vs,然而,空穴的传输行为却没有被观测到。为了提高空穴的注入能力,我们利用MoO3对源-漏电极进行了修饰,有效地改善了空穴注入。并进一步证实了MoO3的引入使得器件的接触电阻变小,平衡了电子和空穴的注入,从而最终实现了器件的双极性传输。     

基于螺芴氧杂蒽的新型主体材料的合成及其光电性能

采用经典的乌尔曼(Ullmann)反应合成了基于螺芴氧杂蒽和苯并恶唑苯胺的新型主体材料SFX-2-BOA、SFX-2'-BOA和SFX-3'-BOA。光谱测试表明该系列化合物的荧光发射能与部分常用的客体发光材料的吸收光谱重叠,从而实现Forster能量转移。循环伏安测试结果表明苯并恶唑苯胺的引入可以有效降低分子的LUMO能级和提升HOMO能级,可同时改进空穴和电子的注入与传输能力。     

含吸电子基的PPV共轭聚合物的研究进展

聚苯撑乙烯类(PPVs)光电功能材料与器件因其广阔的应用前景一直受到广泛的关注。本文主要对含吸电子基团PPVs电致发光聚合物进行了综述。从聚合物吸电子基团种类的角度,介绍了PPVs的分子结构与光电性质及其在电致发光器件中的应用,并讨论了当前这些聚合物作为光电子材料存在的一些问题和发展方向。     

核壳结构银纳米线的合成及神经形态网络特性

银纳米线由于具有独特的核壳结构,被用于构建神经形态纳米线网络。以经典多元醇法为模板,设计正交实验合成了一系列核壳结构银纳米线,分析了反应温度、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的相对分子量、PVP用量和卤离子含量等因素对银纳米线长度、直径及核壳结构微观特征的具体影响。结果表明,相对分子质量高的PVP更适合制备具有AgNWs-Ag核壳结构的银纳米线;由银纳米线组成的神经形态纳米线网络表现出类似人工突触行为的忆阻响应曲线,其神经形态特性受银纳米线核壳结构微观特征影响,并表现出明显的湿度依赖特性。     

非平面型受阻胺共混芴类电致蓝光材料

低能绿光发射带是导致蓝光材料稳定性差的重要原因。为了更有效地抑制聚芴类绿光带的产生,设计共混非平面的抗氧化受阻胺（TMP—BPFT）来提高该类材料的光谱稳定性的方案,该方法可以同时抑制聚集与阻断芴酮生成过程。绿光指数（I（绿光中心波长）／I（第一发射峰））定量衡量了掺杂TMP-BPFT与三聚芴（TDHF）绿光发射带的关系。退火实验表明,在退火144h后,掺杂TMP—BPFT的TDHF与未掺杂的TDHF的绿光指数分别为0．5和4．5,这说明非平面的抗氧化受阻胺具有良好的光谱稳定作用。该研究工作表明具有隔离发色团和抗氧化作用的非平面型受阻胺衍生物是一类有效的电致蓝光材料的稳定剂。