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在电子回旋共振 (ECR)等离子体装置中 ,使用Ar气 ,N2 气 ,H2 气和普通空气放电 ,对聚四氟乙烯 (PTFE)材料进行表面处理以提高其表面粘结性能。详细研究了在不同的放电气压 ,微波功率 ,处理时间 ,气体种类的情况下 ,样品表面的接触角的变化。同时也讨论了样品导电性能和外观等的变化。使用红外吸收谱对样品结构处理前后的变化进行了测量 ,对等离子体处理的机理进行了初步的讨论。使用Langmuir探针测量了Ar气和N2 气等离子体中的离子密度 ,用能量分析器测量了离子的能量。发现在对样品的处理中 ,ECR等离子体的离子密度是影响表面性能的主要因素 ,离子能量的作用不明显 相似文献
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ECR微波等离子体特性的实验研究 总被引：2，自引：0，他引：2
着重介绍采用一段真空波导耦合的ＥＣＲ微波等离子体装置，以及在ＣＨ４－Ｈ２沸合气体放电情况下，诊断了内部等离子体参数，给出了等离子体密度，电子温度，基板鞘附近的空间电位以及在类金刚石膜合成条件下等离子体中的基团情况，同时研究了它们与工艺参数之间的关系。 相似文献
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本文给出了十二所研制的回旋管在合肥等离子所整架实验的初步结果。当频率为35千兆赫,脉宽为lO毫秒时,峰值功率达到40千瓦;在实验中观察到,当工作条件相同时,窄脉冲(100微秒级)和宽脉冲(10毫秒级)峰值功率幅度是相同的。且在不稳压、也不稳流的励磁情况下,电网电压波动不大时,工作仍较稳定。 相似文献
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1. IntroductionThe plasma sheath is an important and complexregion for nearly all plasma applications in materials processing. The theoretical and experimental research on the features of sheath is important for making the processing mechanism clear and for selectingthe best processing conditions.The main process Of plasma nitriding has been noal.widely accepted as being dominated b3' the excitednitrogen molecules, ions= and nitrogen atoms [l-41.As to their formation, Aloll [5] thought that i… 相似文献
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报道了所研制的Waveguide-surfatron型表面波等离子体源的特性,理论计算表明,激发表面波模式为m≥l模,在放电室中电磁场均匀性与等离子体的密度有关。实验结果指出,采用Ar气放电,在气压为10～1000Pa,微波功率800～1000W的范围内可形成大面(体)积(直径为160mm)等离子体,其电子温度为1～4eV,等离子体密度为10 相似文献
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给出了气压为10～28000Pa时,环形倾斜裂缝天线等离子体源的放电特性.实验表明,该源在气压为10～2600Pa范围内是大体积表面波放电,并且在气压为10和230Pa时清楚地观察到裂缝天线附近石英管内的等离子体有较明显的8个瓣和12个瓣(表面波模式可确定为m=4和m=6);当气压升高到4000～6000Pa时,在石英管的底端和不锈钢真空室交界处激励起直径约为12cm的高密度等离子体椭球(1011cm-3量级);在气压为11000～14000Pa时,发现等离子体有明显的涡动现象;而当气压上升到20000Pa以上,等离子体有丝状结构出现. 相似文献
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等离子体化学气相沉积金刚石膜过程中光发射谱和朗谬尔探针原位诊断 总被引：1，自引：0，他引：1
报道了利用光发射谱(OES)和朗谬尔探针对热阴极直流放电等离子体化学气相沉积金刚石薄膜的等离子体条件进行原位研究的部分结果,研究了几种过程参数变化中等离子体状态,并与金刚石膜的沉积相联系。当CH 相似文献
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用化学气相沉积（CVD）金刚石表面金属化，制备了多层膜Cr／Cu／Ni／Au，膜层与CVD金刚石基体间的附着强度高。运用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和差热分析（DTA）对Cr／CVD金刚石界面进行了分析，发现在金属化温度低于300℃时，Cr与CVD金刚石之间无化学反应，并对附着机制进行了探讨。在对Cr／CVD金刚石进行热处理时发现，在474．6～970℃之间，DTA曲线有明显的吸热效应，即界面有化学反应产生。在经900℃左右热处理后，XRD分析界面有Cr3C2和Cr7C3生成。 相似文献
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