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本文研究了掺少量Zr对非晶态Fe_(82-x)Zr_xSi_5B_(13)(x=0.02,0.16,0.87)合金的磁性、电性和热稳定性的影响。实验结果表明,当Zr含量从x=0.02增加到0.87时,晶化温度T_(cr)从755K增加到782K(升温速率10K/min),室温下的饱和磁化强度σ(R. T. )和居里温度T_C分别下降了3%和4.5%。Zr的加入也使得交换积分的涨落增大。在x=0.87的样品中,温度T=15K时出现了电阻率的极小值,可以认为是类Kondo效应的贡献。 相似文献
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MAGNETIC PROPERTY AND THERMOSTABILITY OF Fe-BASE AMORPHOUS ALLOYS WITH HIGH SATURATION MAGNETIZATION
非晶态Fe_80B_(20),Fe_(17.84)B_(16.81)Si_(3.49)C_(1.36),Fe_(65.66)Co_(17.3)B_(15.84)Si_(1.2)和Fe_(6(?).92)Co_(17)B_(19.29)Si_(1.59)C_((?).(?))P_((?).(?))合金用单辊急冷法制备.测量了饱和磁化强度与温度的关系.得到0K时的原子磁矩(?)都在2.03—2.07μ_B之间.非晶态Fe_(80)B_(20)和Fe_(77.84)B_(16.81)Si_(3.49)C_((?).(?))合金的室温饱和磁化强度σ_s(R.T.)和Curie温度Tc相近,而含Co样品的σ_s(R.T.)和T_c分别高于Fe_(80)B_(20)约6%和13%.由热磁、电阻率、差热分析和X射线衍射的测量结果分析了样品的晶化转变.含Co样品的晶化温度T_(cr)与Fe_(80)B_(20)相近,而Fe_(77.84)B_(16.81)Si_(3.49)C_(1.86)的T_(cr)高于Fe_(80)B_(20)约80K.用化学键、T_(cr)与e/α的关系以及晶化过程的复杂性讨论了影响高饱和非晶态合金稳定性的因素. 相似文献
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用四端引线法测量了4.2K到室温的非晶态(Fe_(1-x)Co_x)_(18)Si_(9.5)B_(12.5)(x=0—1.0)合金的电阻率。结果表明,x=0—1.0的所有样品都出现了电阻率与温度关系的极小值。电阻率极小值温度T_(min)随Co含量x的增加而增加,在x=0.9时出现极大值。在T_(min)温度以下,电阻率与温度关系符合-lnT规律。x=0.5—1.0的样品,电阻率与-lnT关系出现两个斜率。在T_(min)温度以上,约100K以下电阻率符合T~2规律,在约100K以上电阻率则按T~(3/2)规律变化。实验结果表明,约在9.5K和100K温区,电阻率与温度关系可近似表达为:ρ/ρ_(min)=ρ_0+AlnT+BT~2。显现类Kondo型电阻极小。电阻率的T~2关系来源于电子-声子散射。 相似文献
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用四端引线法测量了4.2K到室温的非晶态(Fe_(1-x)Co_x)_(18)Si_(9.5)B_(12.5)(x=0—1.0)合金的电阻率。结果表明,x=0—1.0的所有样品都出现了电阻率与温度关系的极小值。电阻率极小值温度T_(min)随Co含量x的增加而增加,在x=0.9时出现极大值。在T_(min)温度以下,电阻率与温度关系符合-lnT规律。x=0.5—1.0的样品,电阻率与-lnT关系出现两个斜率。在T_(min)温度以上,约100K以下电阻率符合T~2规律,在约100K以上电阻率则按T~(3/2)规律变化。实验结果表明,约在9.5K和100K温区,电阻率与温度关系可近似表达为:ρ/ρ_(min)=ρ_0 AlnT BT~2。显现类Kondo型电阻极小。电阻率的T~2关系来源于电子-声子散射。 相似文献
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在非晶态合金中,低温电阻率极小与极大值现象不仅在稀释合金中存在,而且在强铁磁性的非晶态合金中也普遍出现。我们在Fe-Cr-B,Fe-Mo-B及Fe-W-B系列中曾作了报道。本文将报道元素V对非晶态(Fe_(1-x)V_x)_(84)B_(16)合金低温电阻率的影响,并用类Kondo效应、RKKY相互作用和局部自旋涨落效应解释了不同温区的电阻率散射机制。一、实验非晶态(Fe_(1-x)V_x)_(84)B_(16)合金(x=0,0.02,0.04,0.06,0.08及0.1)采用单辊急冷法制备,带厚20—30μm,带宽约1mm。经x射线衍射结 相似文献
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本文研究了掺少量Zr对非晶态Fe_(82-x)Zr_xSi_5B_(13)(x=0.02,0.16,0.87)合金的磁性、电性和热稳定性的影响。实验结果表明,当Zr含量从x=0.02增加到0.87时,晶化温度T_(cr)从755K增加到782K(升温速率10K/min),室温下的饱和磁化强度σ(R. T. )和居里温度T_C分别下降了3%和4.5%。Zr的加入也使得交换积分的涨落增大。在x=0.87的样品中,温度T=15K时出现了电阻率的极小值,可以认为是类Kondo效应的贡献。 相似文献