射频磁控溅射法在柔性聚酰亚胺衬底上制备ZnS薄膜及其特性研究

为使Ⅱ-Ⅵ族化合物ZnS薄膜具有可弯曲性,选用柔性的聚酰亚胺作为衬底材料,用射频磁控溅射法沉积ZnS薄膜,对所制备薄膜的结晶结构、组分和光学特性进行分析.实验结果表明,所制备薄膜为结晶态的闪锌矿ZnS结构,择优取向为(111)晶面,晶粒尺寸为25.6 nm.薄膜组分接近化学计量比,并具有少量的S损失.薄膜在可见光区和近红外光区的平均透射率分别为82.0％和90.5％,透光特性良好.作为对比,在钠钙玻璃衬底上溅射的ZnS薄膜的结晶度高于聚酰亚胺衬底薄膜,但其透射率略低于柔性ZnS薄膜.实验结果表明了用磁控溅射法在柔性聚酰亚胺衬底上制备ZnS薄膜的可行性.     

Co-Ni-Al-Sn磁控记忆合金的应力诱发马氏体相变研究

利用显微组织分析、示差扫描量热法(DSC)和振动样品磁力计(VSM)研究了Co28Ni34Al28-xSnx(x=1,2,3)合金在应力作用下的马氏体相变行为,分析了Sn元素的含量x对合金马氏体相变以及居里点的影响。Co38-Ni34Al28合金的居里点随着Sn的含量增加而升高,合金在室温下处于亚稳状态的温度范围加宽,因此在室温下施加应力更容易触发合金马氏体相变。     

Co_(38)Ni_(34)Al_(28-x)Si_x铁磁形状记忆合金的组织演变及磁性能

采用急冷快淬吸铸工艺制备Co38Ni34Al28-xSix(x=0,1,3,5,7,9)合金,利用光学显微镜、场发射扫描电镜(FE-SEM)和振动样品磁力计(VSM),研究了Si添加量对其显微组织、饱和磁化强度和居里温度的影响。研究表明,Si元素替代Al元素后,合金室温显微组织变化很大,添加量为x=1时,仍保持β基体不变,但γ相减少;添加量为3时,变为M+γ双相组织,添加量为5~9时,可获得单相马氏体组织。添加Si元素使合金的饱和磁化强度下降,当添加量为5和7时,饱和磁化强度的下降幅度最低。添加Si元素后,合金的居里温度有不同程度的提高,与添加量有关。     

周期性前驱体的预硫化处理对Cu2ZnSnS4薄膜的影响EI北大核心CSCD

Cu2ZnSnS4薄膜具有组成元素来源丰富、吸收系数高等优点,是理想的薄膜太阳能电池吸收层材料。采用磁控溅射法沉积周期性金属叠层前驱体,再进行两步硫化处理制备出Cu2ZnSnS4薄膜,分析第一步硫化(即预硫化)对Cu2ZnSnS4薄膜特性的影响。结果表明,预硫化处理可促进前驱体的硫化反应。经过预硫化处理的Cu2ZnSnS4薄膜的结晶度优于未进行预硫化处理的Cu2ZnSnS4薄膜。当预硫化温度为350℃时,增加预硫化时间有利于硫化反应的进行,并抑制Sn元素损失,但过长的预硫化时间导致Cu2ZnSnS4薄膜中易出现二次相,影响薄膜的特性。预硫化温度350℃、预硫化时间10 min的Cu2ZnSnS4薄膜结晶度最优,薄膜组分具有贫Cu、富Zn特性,且薄膜表面无孔隙。     

温度系数连续可调的带隙基准源电路设计

为了对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)驱动芯片的驱动电压进行温度补偿以改善TFT-LCD的性能,本文基于标准CMOS(3.3V)的chrt35rf 0.35$m工艺,设计了一款温度系数可连续调节的带隙基准电压源,其中包括核心电路、运算放大器电路和启动电路3个子模块。该电路使用MOS晶体管作为可变电阻,通过调节MOS栅极电压控制MOS漏源等效电阻的连续可变,进而改变电路中的电阻比值,实现带隙基准源的温度系数连续可调。使用Cadence的Spectre仿真器进行仿真,结果表明,在-25~125℃的工作温度范围内,带隙基准源电路的输出电压的正温度系数可连续调节范围为156.6~2 545.0ppm/℃,输出电压的负温度系数的连续变化范围为156.6~1 337.7ppm/℃,输出基准电压变化为0.95~2.67V,低频时基准电压的电源抑制比达到73.13dB。该电路实现了基准电压从负温度系数向正温度系数的连续可调节,且调节范围较大。