CVD动态沉积法连续制备YBCO超导带

本文报道了用ＣＶＤ动态沉积法连续制备ＹＢＣＯ起导带的实验结果。以Ｙ（ＴＭＨＤ）３，Ｂａ（ＴＭＨＤ）２，Ｃｕ（ＴＭＨＤ）２为挥发源，高纯Ａｒ和Ｏ２分别为载流和反应气体，在移动的金属Ａｇ基带上，以１０－１５ｃｍ／ｈ的带速制出了有强烈Ｃ－轴取向的ＹＢＣＯ超导带。最好样品的Ｊｃ达到１．４×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２（７８Ｋ，ＯＴ）。     

MOCVD—YBCO在金晶金属Ag基体上的生长特点

本采用ＭＯＣＶＤ技术，以Ｙ（ＴＭＨＤ）３，Ｂａ（ＴＭＨＤ）２，Ｂａ（ＴＭＨＤ）２和Ｃｕ（ＴＭＨＤ）２为挥发源，高纯Ａｒ和Ｏ２分别为载流气体和反应剂，金属Ａｇ带有基体，在沉积温度为８５０℃，沉积过程中系统总压低于１．３３ｋＰａ的条件下，研究了４种民政部的ＹＢＣＯ生长特点；４种沉积方式所制样品成分的均匀性、沿ｃ－轴取向情况以及表面形貌均存在较大的差别。     

在Ag基体上用MOCVD法连续制备YBCO超导带

用ＭＯＣＶＤ法在Ａｇ基体上以－１５ｃｍ／ｈ的带速连续制备ＹＢＣＯ超导带，在８００－８５０℃之间沉积的样品均呈强裂ｃ－轴取向；而在７５０－８００℃间，ｃ－轴取向明显减弱，前者为不规则排列的大片状晶结构，而后者为不规则排列的小棒状晶和发育不育的片状晶，或者为小粒状晶集，所制亲品的Ｊｃ（７８Ｋ，ｏ）一般在０．５－１×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２之间，最好的达到１．４×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２。     

MOCVD—YBCO/Ag膜(带)的组织结构与超导性能

采用三源蒸发静态沉积、单溶液源超声波雾化静态沉积２种ＭＯＣＶＤ工艺，在轧制抛光的Ａｇ基带上制备了ＹＢＣＯ超导膜，同时综合分析了典型样品的组织结构特点与超导性能的关系。采用这２种工艺制备的ＹＢＣＯ膜皆呈强烈ｃ轴取向的１２３相为主相，其Ｊｃ值为１×１０４Ａ／ｃｍ２（７８Ｋ，０Ｔ）。采用第２种工艺制备的典型样品，尽管其成分偏离１２３相较大，但杂相不显，具有细小而高密度的晶粒组织，其Ｊｃ值达到２２×１０５Ａ／ｃｍ２（７８Ｋ，０Ｔ）；在呈（１１１）织构（（１１１）面平行于表面）的Ａｇ带上较具有其它织构的Ａｇ带更适于生长空隙少、ｃ轴取向性好的ＹＢＣＯ膜（带）。