排序方式: 共有6条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
SOI的自加热效应与SOI新结构的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM,Silicon onAlN,GPSOI,SiCOI,GeSiOI,SON,SSOI等,结论SOI新结构制备工作,报道了SOI的自加热效应及其新结构的研究进展。 相似文献
2.
随着集成电路技术的快速发展,等比例缩小技术已经不能满足摩尔定律,应变硅金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET)技术成为后硅时代研究的热点。应变硅技术通过拉伸或压缩硅晶格达到器件尺寸不变的情况下,可提高器件性能的目的,同时应变硅技术与传统硅工艺兼容,节约了生产成本。对于应变硅互补金属氧化物硅晶体管(CMOS)器件的性能以及可靠性问题的研究也日益增加。本文通过介绍几种常用的应变技术(应力记忆技术(SMT),锗化硅技术(SiGe),接触孔刻蚀阻挡层(CESL))的应变机理、材料性能和工艺条件对应力技术的影响来探讨以后应力技术的发展趋势。 相似文献
3.
4.
5.
应用超高真空电子束蒸发方法,以铁作为催化剂,在硅和多孔硅衬底上生长纳米Si锥阵列。采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米硅的形貌特征,测试和比较了不同衬底上纳米硅的电子场发射性能。实验结果表明用这种方法形成了高度为10—35nm的锥状纳米结构,并且这些纳米硅锥阵列的场发射性能良好。比较生长不同衬底上的纳米锥形貌与场发射性能,发现多孔硅衬底上更适合生长这种纳米硅锥。 相似文献
6.
1