双沟道层对氮掺杂非晶氧化铟锌薄膜晶体管的影响

采用射频磁控溅射法, 在热氧化p型硅基片上制备了双沟道层非晶氧化铟锌(a-IZO)和氮掺杂氧化铟锌(a-IZON)薄膜晶体管(TFTs), 并研究了双沟道层对器件电学性能和温度稳定性的影响。研究发现, a-IZO/IZON双沟道层TFTs具有较高的场效应迁移率, 为23.26 cm²/(V•s), 并且其阈值电压相较于单层a-IZO-TFTs正向偏移。这是由于氮掺杂可以减少沟道层中的氧空位, 抑制载流子浓度, 使器件具有更好的阈值电压。而a-IZO层避免了由于氮掺杂导致的场效应迁移率和开态电流的下降, 提升了器件的电流开关比。从298 K至423 K的器件转移特性曲线中发现, 双沟道层器件相较于单沟道层器件的温度稳定性更佳, 这可归因于a-IZON层的保护作用。氮掺杂可以减少氧在背沟道层表面的吸收/解吸反应, 改善器件的稳定性。     

对LCD背投影屏幕上莫尔条纹的分析与抑制

莫尔条纹是由LCD、菲涅尔透镜和微结构透镜等周期性结构的层叠引起的,对于设计高质量的LCD背投影屏幕至关重要。为了抑制莫尔条纹,我们基于频谱分析,探讨了相关光学组件的周期结构。通过调整屏幕结构,图像上的周期性条纹可减到最小,从而得到无莫尔条纹的屏幕。     

采用不同透明电极的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管

采用透明材料ITO和AZO为源漏电极,在室温下利用射频磁控溅射方法制作了底栅结构的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管。实验发现,制备的薄膜晶体管均表现出了良好的开关特性。其中采用AZO为电极的薄膜晶体管的场效应迁移率为1.95cm2/V.s,开关比为4.53×105,在正向偏压应力测试下,阈值电压的漂移量为4.49V。     

具有影像增强反射层的全彩色透反射型胆甾相液晶显示器

本文介绍了一种低功耗全彩透反射型液晶显示器。该液晶显示器利用高双折射率(Δn)胆甾相液晶(Ch-LC),并在透射区域的顶部设置了一块影像增强反射层(IER)。高双折射率(Δn)胆甾相液晶能够反射宽波段的光而显示白色图像。采用传统的彩色滤光膜方法就可以显示全彩色图像。此外,在透射区顶部的IER为透射光和反射光提供了相似的光路。在任何环境下,透射区与反射区总是显示相同的图像颜色,因而大大提高了全彩色透反射型胆甾相液晶显示器显示图像的质量。     

采用多向非对称微透镜阵光控膜的高亮度反射式彩色STN-LCD

介绍一种多向非对称微透镜阵光控膜（MAMA-LCF），它能把多方向的入射光引入视野，大大增强反射式彩色超扭曲向列相液晶显示器（STN-LCD）的亮度。MAMA-LCF由一个非对称的微透镜阵列构成，覆盖于反射式彩色STN-LCD的前表面，在特定视区内可以获得最大增益约20X的MgO标准白色，而没有可见的莫尔条纹和视差效应。