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1.
针对无源UHF RFID标签温度测量范围小、功耗等问题,本文提出了一种集成于无源UHF RFID标签的宽温测范围CMOS温度传感器。本文设计采用UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺进行设计,提出一种新温度脉冲转换电路结构产生随温度变化的脉冲,从而实现了宽温度测量。仿真结果表明:当温度范围在-75℃~125℃时,温度脉冲宽度变化近220μs,标签芯片供电电压为1.5V时,室温时新增的温度传感器模块功耗仅为200 nW,温度传感器精度为0.45℃/LSB。测试结果:在-5℃~45℃范围内进行测试,温度传感器精度为0.48℃/LSB,其中在室温25℃左右振荡器频率2.087 MHz,脉冲宽度大约110μs,异步计数器显示为011011000。  相似文献   
2.
针对无源UHF RFID系统通信距离受限的问题,提出了一种新型无源双端口智能标签的设计方案.阐述了智能选择的实现方法以及提高系统识别距离的原理,并给出了标签其他部分电路包括整流及稳压电路、调制电路和解调电路的电路结构,电路基于0.18 μm CMOS工艺实现.仿真结果表明:各部分电路均可实现正常功能.  相似文献   
3.
文章基于CMOS太阳能电池设计了一款微电源管理系统。此电源管理系统适用于传感器网络节点和半有源电子标签之类的需要周期性短时间供电的电路。电源管理系统中包含一个电荷泵,一个片外储能电容,控制电路和一个线性稳压器。控制电路采用一种全新的结构,静态功耗基本为零。采用UMC 0.18μm CMOS工艺,当输出电流为30uA,储能电容为1uF时,一个周期可达到大于20ms的供电时间,输出电压1.8V,电源管理系统的静态电流小于1.5uA。  相似文献   
4.
为加强与港澳、东南亚地区和世界各国之间的技术交流、技术转让、技术服务及相应的商品贸易,由中国科技交流中心与广东、广西、四川、云南、贵州、天津、重庆七省市科技交流中心合办的《中国民间技术出口展示洽谈会》于1987年9月16日至20日在香港举行.参加展示的项目有机械、电子、计算机、仪器仪表、化工、医药、农药、轻工、食品、  相似文献   
5.
肖雪芳  谢生  陈朝 《半导体技术》2010,35(3):245-247,251
以GaAs和InP材料为例,对化合物半导体材料中的快速热退火扩Zn可行性进行比较分析,研究表明,化合物半导体材料中快速热退火扩Zn可行性与化合物半导体材料的分解温度有着密切关系。化合物半导体材料分解温度越低,对扩散源、帽层和阻挡层要求越高。针对InP材料高于360℃就分解、低温Zn扩散困难的特点,提出了直接溅射Zn层在410℃低温扩散的方法。对InP快速热退火扩散结果进行分析,初步分析表明其掺杂机理是形成合金结。  相似文献   
6.
Si-Si直接键合的研究及其应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
何国荣  陈松岩  谢生 《半导体光电》2003,24(3):149-153,171
硅片直接键合技术是一种简单易行的硅片熔合技术,由于该技术不受材料的结构、晶向和点阵参数的影响,因而得到了广泛的应用。介绍了硅片直接键合的方法和键合模型,并简单介绍了硅片直接键合技术的应用。  相似文献   
7.
本文利用分子束外延(MBE)技术能精确控制外延层厚度的特点,与选择性腐蚀技术相结合,实现了纳米级超薄基区宽度.利用集电极电压VCE调制中性基区宽度可以改变基极电阻,从而产生微分负电阻(NDR),根据这一物理机制,设计并研制成功性能优良的8 nm基区n-InGaP/P+-GaAs/n-InGaP负阻双异质结晶体管(NDRDHBT).该器件显示出基极电压VBE调制的"∧"型负阻集电极电流IC-集电极电压VCE特性,电流峰谷比(PVCR)趋于无穷大;表征基极电压调制电流能力的峰值电流跨导ΔIP/ΔVBE高达11.2 ms;击穿电压达到12 V,可用于高频振荡调制和高速数字电路.  相似文献   
8.
A novel matching method between the power amplifier (PA) and antenna of an active or semi-active RFID tag is presented. A PCB dipole antenna is used as the resonance inductor of a differential power amplifier. The total PA chip area is reduced greatly to only 240 × 70 μm2 in a 0.18 μm CMOS process due to saving two on-chip integrated inductors. Operating in class AB with a 1.8 V supply voltage and 2.45 GHz input signal, the PA shows a measured output power of 8 dBm at the 1 dB compression point.  相似文献   
9.
研究Si/Si键合的电学性质对于界面研究和微电子器件的制备有着重要意义。分析了亲水处理方法键合的不同Si/Si键合结构的I—V特性,然后用SOS模型对n—Si/n—Si的C—V特性做了计算机辅助模拟,并和实际C—V曲线比较得出了平带电压VFB和界面态密度Din,这些结果对于键合的界面性质的了解和研究都是有意义的。  相似文献   
10.
Si/InP键合界面的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
应用疏水处理方法成功实现了Si/InP的键合,然后通过对InP和Si的表面XPS能谱分析得到界面信息,从而了解键合机理.I-V曲线也反应了键合界面的性质,通过450、550℃退火样品的伏安特性可知道,对于InP/Si键合结构而言,退火温度与界面特性应该存在最佳值.  相似文献   
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