CdZnTe晶体表面Au电极薄膜的制备及其欧姆接触性质

为了研究不同制备工艺对电极欧姆接触特性的影响, 分别采用真空蒸发法、溅射法及化学沉积法在CdZnTe晶片表面制备了Au薄膜电极, 通过测试样品的SEM、I-V曲线及交流阻抗谱, 研究了不同电极制备工艺及退火处理对Au薄膜电极的微观结构及欧姆接触特性的影响。结果表明化学沉积法制备的Au薄膜表面更加平整、致密, 接触势垒的高度较低, 电极欧姆接触特性最好。退火处理可以改善电极的欧姆接触特性, 100℃退火后, 化学沉积法制备的Au电极的欧姆系数由0.883提高至0.915, 势垒高度由0.492降低至0.487 eV。交流阻抗谱分析表明, 化学沉积法制备电极具有最低的接触势垒, 这与界面处晶片表面的掺杂及缺陷的变化有关。     

CdZnTe晶体缺陷的交流阻抗谱研究

宽禁带II-VI族半导体化合物碲锌镉(CdZnTe)晶体是制备室温X和γ射线探测器的理想半导体材料,但其晶体缺陷特性对探测器性能有重要的影响,一直是人们研究的热点与难点。文中采用垂直布里奇曼法生长了CdZnTe晶锭,XRD测试表明晶片呈现(111)取向。通过测试样品不同温度下的交流阻抗谱,研究了晶体缺陷的阻抗特性。结果表明,制备的CdZnTe单晶具有负温度系数效应,化学法制备的Au电极与晶片之间形成了欧姆接触,没有出现电极界面和晶界对阻抗谱曲线影响,晶粒导电机制占主导。利用Arrhenius方程拟合曲线获得晶体缺陷的激活能为0.48 eV,表明晶体缺陷以Cd空位为主。     

边坡软式排水管淤塞试验研究

针对排水管在运营过程中的淤塞问题,借鉴土工织物的梯度比准则,利用梯度比试验,从水力梯度、土体类型以及排水管壁面积大小因素考虑,对软式排水管淤塞机理展开研究。研究结果表明:不同土体的梯度比Ｇｒ值随时间均呈现出明显的三阶段特征,即渗流通道开始快速发育时梯度比快速下降的现象,渗流通道逐渐成型时梯度比下降速度变缓的现象,以及土体细颗粒对排水管壁开始淤塞时梯度比缓慢上升的现象;土体黏粒含量的多少对排水管淤塞起主要影响作用,其次为排水管面积大小和水力梯度大小;通过稳定梯度比Ｇｒ值与相应单位体积含土量的对比,验证了梯度比对排水管壁在土体和水流作用下的变化的反映具有客观有效性。