掺氟二氧化锡透明导电膜的核技术分析

运用卢瑟福背散射(RBS)和二次离子质谱(SIMS)技术相结合测量了SnO_2透明导电膜的密度和膜厚,对于常压CVD法制备的SnO_2薄膜密度约为6.20g/cm~3,接近相应块状材料的密度。采用~(19)F(p,αγ)~(16)O共振核反应技术测量了用于非晶硅太阳能电池电极的大面积掺氟SnO_2(FTO)中氟的含量和深度分布以及50—180keV的~(19)F~+离子注入SnO_2膜中氟离子的射程分布参数。结果表明,FTO膜中氟元素的含量和深度分布并不是均匀的,而是在0.6×10~(20)—6.O×10~(20)/cm~3间波动;50—180keV的~(19)F~+离子注入SnO_2膜中氟离子的平均投影射程(R_P)值与理论计算结果符合得很好,而平均投影射程标准偏差(ΔR_P)值则比理论值偏大。     

离子注入的氙和铯在硅和铝中的表面富集现象

近几年来,人们研究了离子注入层中注入杂质在退火过程中的再分布。结果表明,广泛的离子品种,例如Pb~ 、As~ 、Sb~ 、Cs~ 、Pt~ 、Bi~ 、Xe~ 、Ni~ 、Br~ 和Cr~ 等高剂量(≥10~(15)atoms/cm~2)注入Si后,在退火时注入的杂质显著地向表面扩散;高剂量离子注入某些金属,退火时也有向表面扩散的现象。因此,高剂量注入的杂质在退火过程中向表面扩散是一个较普遍的现象。     

~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe,CdTe和Si材料中氟的深度分布研究

采用共振能 E_R=872.1 keV,宽度 Γ=4.2 keV的~(19)F(P,αγ)~(16)O共振核反应测定了~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe、CdTe和Si衬底中氟的深度分布.用参考函数和参数优选法对实验测得的激发产额曲线进行去卷积计算,从而求得了氟的真实深度分布,同时确定了~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe、CdTe和Si材料中投影射程分布参数 R_p,△R_p和 SK.理论上计算了上述射程分布参数.实验与理论结果比较表明.R_p和△R_p的实验值与理论值符合得较好.文中讨论了利用共振核反应技术研究低速离子在固体材料中阻止本领的可能性.     

Cd_xHg_(1-x)Te中离子投影射程分布矩的计算

本文采用符合于WHB势的核散射函数计算了离子Al~ 、P～ 、S～ 、Zn～ 、Ga～ 、As～ 、Sb～ 注入Cd_xHg_(1-x)Te衬底的投影射程分布的一次至三次矩,并由这些矩给出了投影射程的分布参数——平均投影射程Rp、平均投影射程的标准偏差ΔRp和射程分布的歪斜度(β1)~(1/2)。Al～ 离子的能量范围为50keV～1MeV、其他离子的能量范围为5keV～500keV。结果表明,本文提供的计算值在LSS约化能量ε≥0.5时与Ryssel等新近的计算结果符合得较好,而在低能端,我们得到的Rp值比他们的显著地大。本文也简要地讨论了利用计算得到的射程参数构造注入离子浓度分布的方法。     

基于RFID技术的动态数据采集系统设计

为了实现汽车车门生产过程的可追溯性,以便对汽车车门的质量和数量进行有效监测,以某汽车厂车门生产线为研究对象,根据射频识别(RFID)技术设计了动态数据采集系统。首先,设计了上位机管理系统。然后,采用应用于过程控制的对象连接与嵌入(OPC)协议建立Kepserver与可编程逻辑控制器(PLC)之间数据联系,并利用西门子S7-1200 PLC控制欧姆龙V680S读写器对标签数据的读写。最后,将实时数据反馈给上位机。动态数据采集系统融合了OPC协议与Modbus协议,实现了西门子PLC与欧姆龙V680S读写器和上位机之间的通信。系统测试表明,该数据采集系统实时性较好,运行稳定,定位精准度较高。该系统操作简便、实用性强,对实现工业生产自动化有着重要的意义。     

用~(75)As~ 和~(132)Xe~ 离子注入Al_2O_3薄膜的Rutherford背散射分析

阳极氧化生成的Al_2O_3是一种重要的非晶电解质材料,而非晶电解质材料是有待进一步开发和研究的新材料。另外,Al_2O_3薄膜可以用来作为半导体材料定域掺杂的掩膜,因此,准确的测定Al_2O_3薄膜的厚度和注入离子在Al_2O_3中的射程及射程分布,以选择合适的离子注入条件,在半导体器件的生产中是很重要的。 我们利用2MeV的~4He~ 离子束测定了Al_2O_3中~(75)As 和~(132)Xe~ 的注入剂量、射程和射程分布,并对阳     

Ar和Xe在Al(Cr)薄层中的扩散和释放

采用2MeV ~4He~+离子的卢瑟福(Rutherford)背散射技术详细地研究了Ar和Xe在Al(Cr)薄层中的扩散和释放行为。Al(Cr)层中的Ar和Xe是由离子注入引入的,注入的能量为30KeV,Ar的注入剂量为4.3×10~16at./cm~2;Xe的注入剂量为5.2×10~15at·/cm~2恒时退火累积分数释放额的测量表明,Ar和Xe在Al(Cr)层中有着十分不同的释放行为,Ar的迁移和释放较快,而Xe没有观察到明显的释放。气体原子尺寸的不同使得它们与晶格缺陷有着十分不同的束缚能。     

用背散射测定惰性气体在合金和单晶硅中的迁移和释放特性

不锈钢和铝是重要的核装置中所用的材料,其中的惰性气体在热激活情况下的运动特性与材料在各种辐照和高温条件下的相对稳定性,辐照产生的空洞缺陷以及这些缺陷所造成的膨胀和机械性能的变化有很大关系。因而,研究在金属材料中注入的惰性气体在各种退火温度下的迁移和释放规律,将为核装置所用材料的研究、改进和开发提供必要的实验依据。 单晶硅是重要的半导体材料。在室温下,利用重离子对单晶硅进行离子注入时,当注入剂量大于10~(14)atom/cm~2时,将在与离子射程相应的深度范围内形成非晶层。这个非晶层在其后的热处理过程中可以重新结晶,根据注入离子种类和注入剂量的不同,这个非晶层可以恢复成单晶或形成多晶。研究惰性气体在这种重     

LIGHT ION REFLECTION STUDIED BY MONTE CARLO SIMULATION AND TRANSPORT THEORY

The reflection of light ions, such as H+,3He+ and 4He+, with energies of 0.1- 10 keV, from Cu and Ni surface has been studied by Monte Carlo simulation and transport theory. The Monte Carlo simulation gives the detail energy spectra for the reflected particles and their angular distribution for different incident angles. It shows that the reflected particle energy spectra can be approximately described by an analytical formula for the whole energy range, all the incident angles and different ion- target combination studied here. The reflected particle energy vs its average reflection angle to the surface normal can almost be expressed by a universal curve for all cases studied here. The reflection energy spectra are used for the calculation of the reflection coefficient by transport theory including the realistic surface correction. The present work is compared with both experimental measurement and other simulation codes.     

黑水河畔劲吹文明风——崇左市新和镇创建“全国文明村镇”纪实

1月20日,在北京召开的全国精神文明建设工作表彰大会上,崇左市江州区新和镇被授予"全国文明村镇"称号并作为广西唯一的乡镇代表赴京领奖.喜讯传来,全镇2万多人民深受鼓舞,倍感自豪.