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介绍了一种适用于三维毫米波集成电路的Si基微机械垂直过渡,该垂直过渡是两层0.1mm厚的共面波导传输线通过0.3mm厚中间层,在中间层采用了同轴结构,该同轴结构通过金属化通孔来实现。这一设计原理简单,结构简洁,便于优化设计,具有很宽的带宽和平坦的幅度响应。运用三维电磁场仿真软件对该垂直过渡结构进行了建模,并作了优化设计与仿真计算,运用微机械金属化通孔工艺和多层键合工艺研制了样品。在片测试结果表明该样品性能良好,在26.5~34.0GHz该过渡插入损耗小于3.5dB,带内起伏小于2dB。 相似文献
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基于MEMS圆片级封装/通孔互联技术的SIP技术 总被引:1,自引:1,他引:0
<正>随着科学技术的发展,3D SIP(system-in-package)技术已成为世界热点。基于MEMS圆片级封装WLP(Wafer-level packaging)的SIP技术是目前3D SIP最重要技术之一,它充分利用MEMS的TSV(Through-silicon via)和圆片级键合技术,实现Si与GaAs、Si与陶瓷等异质材料间垂直互联和圆片级集成。该技术可以将传感 相似文献
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介绍了一种屏蔽膜微带线,该型传输线为介质薄膜所支撑,周围为空气,并为金属面所屏蔽,具有可忽略不计的衬底损耗及色散效应,以及很小的辐射损耗。运用HFSS三维电磁场仿真软件对毫米波屏蔽膜微带线与滤波器进行了仿真设计,运用MEMS工艺在两层高阻硅衬底上进行了样品的研制。样品取得了良好的测试结果,其中屏蔽膜微带线插入损耗小于0.1dB/mm。 相似文献
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高隔离度S波段MEMS膜桥开关 总被引:3,自引:1,他引:3
常规的 MEMS膜桥开关在 1 0 GHz以上频段才具有低插损、高隔离度 (>2 0 d B)的优点。文中介绍了一种应用于微波低频段—— S波段的高隔离 MEMS膜桥开关 ,给出了开关的设计与优化方法 ,建立了开关的等效电路模型。通过双膜桥结构、选择高介电常数的介质膜、微电感结构膜桥这些措施 ,达到提高开关隔离度的目的。利用 HFSS软件仿真的结果表明 ,该开关在微波低频段 (3~ 6GHz)有着很好的隔离性能。开关样品在片测试的电性能指标 :插损 <0 .3 d B,隔离度 >40 d B,驱动电压 <2 0 V 相似文献
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对LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的原理进行了阐述,分析了薄膜质量与各项工艺参数的关系.实验时,对各项工艺参数进行调节,在保证薄膜质量和片内一致性的同时取得最大的生长速率.生长出来的多晶硅结构层厚度达到2μm;掺P多晶硅的厚度达到1OOOhA. 相似文献
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MEMS微波谐振器 总被引:1,自引:0,他引:1
南京电子器件研究所采用微机械工艺和硅衬底集成波导技术成功研制出了Q值大于180的单片集成M EM S微波谐振器。该谐振器采用SIW(衬底集成波导)技术形成单片硅填充腔体结构。采用通孔阵列和地平面形成NRD(不辐射介质)波导。主要使用ICP深刻蚀技术形成M EM S通孔。采用CPW电流探针与腔体间进行耦合。研制出的谐振器工作于主模TE101模式,设计中心频率在K波段。使用A g ilent 8510C矢量网络仪在片测试系统进行测量,结果如下:插损小于3.5 dB,带宽小于1.7%,无载Q值大于180,中心频率实际测量结果与设计值误差小于2.5%。芯片尺寸4.7 mm… 相似文献
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用于微惯性器件的ICP刻蚀工艺技术 总被引:2,自引:1,他引:1
在微惯性器件加工中,ICP深硅刻蚀技术主要用于梳齿结构的释放.工艺试验中的梳齿结构的最细线条尺寸为2μm,刻蚀深度为40μm,刻蚀的深宽比为20∶1,接近刻蚀设备A601E的加工极限.为了提高刻蚀精度,减小根切和底切效应,本文介绍了一种实现微结构刻蚀的ICP分步工艺的新方法,采用不同的刻蚀工艺条件,初始阶段减小底切效应,减小线条损失,刻蚀的中间阶段保证刻蚀速度,刻蚀的最终阶段减小侧向刻蚀,提高结构释放的一致性.同时通过在刻蚀结构的背面生长200 nm厚Al膜对等离子体的吸附作用减小了根切效应,提高了刻蚀的精度和结构释放的一致性. 相似文献