掺硼金属膜热敏电阻器的制备工艺及温度响应

介绍了一种帽状结构的掺硼金刚石膜敏电阻器及其制备工艺。使用ＰＣＶＤ方法在Ｓｉ４Ｎ４或Ｓｉ基片上淀积掺硼金刚石膜膜，然后在金刚石膜上淀积Ｔｉ／Ａｕ薄膜形成欧姆接触电极。结果获得了具有良好温度响应和欧姆接触的金刚石膜热敏电阻器。     

MPCVD合成P型金刚石薄膜的电导——温度机理

研究了温度对Ｐ型金 石薄膜电导性能的影响，采用微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）的方法在Ｓｉ３Ｎ４基片上制作了掺硼金刚石薄膜，测量了不同掺硼浓度的电导温度特性关系，提出了一种简化的能带模型，解释了电导机理，基于能带模型计算出的电导－－温度关系结果与试验结果相符合。     

汽车电子产品与厚膜混合集成电路

介绍了汽车电子产品的主要种类，并从汽车工作环境的特殊要求角度阐明了厚膜混合集成电路在汽车电子产品中应用的前景。     

铝钽合金薄膜热稳定性及其中功率衰减器的研究

铝钽合金薄膜热稳定性及其中功率衰减器的研究＊贾宇明杨邦朝曲喜新（电子科技大学信息材料工程学院成都６１００５４）１引言铝与某些金属可以形成优良的耐热铝合金材料。已有文献报导了用溅射方法制出的铝钽合金薄膜可以用于制造耐热的薄膜元器件〔１～４〕。我们发现当...     

钽铝薄膜中功率衰减器的设计

介绍了一种用于微波电路的中功率薄膜衰减器的设计与制作。该衰减器是由铝原子含量为50％的Ta／Al合金薄膜制成。测试结果表明其性能优良。     

掺硼金刚石薄膜热敏电阻器性能

用微波等离子体ＣＶＤ方法制作了掺硼金刚石薄膜热敏电阻器。该器件的结构由Ｓｉ３Ｎ４基底和２μｍ厚的掺硼金刚石薄膜组成，并采用了经退火处理的钛／金双金属层制作欧姆接触，结果在室温到６００℃范围内获得了欧姆接触，温度响应以及电阻温度系数优良的热敏电阻器。     

浅谈光刻胶在集成电路制造中的应用性能

光刻胶技术是曝光技术中重要的组成部分,高性能的曝光工具需要有与之相配套的高性能的光刻胶才能真正获得高分辨率的加工能力.主要围绕光刻胶在集成电路制造中的应用,对其反应机理及应用性能指标进行阐述,重点从工艺的角度去提出新的研究方向.     

基于DICE结构的抗辐射SRAM设计

空间应用的SRAM必须具备抗辐射加固能力.介绍了SRAM工作原理与双互锁存储单元(DICE)技术,给出了基于DICE结构的SRAM存储单元的电路设计、版图设计及其功能仿真.在SMIC 0.13μm工艺下,应用HSPICE进行单粒子效应模拟,与传统6T CMOS SRAM相比,基于DICE结构的SRAM在相同工艺条件下抗辐照能力有显著的提高.