U-Boot的启动及移植分析

bootloader开发是嵌入式系统必不少而且十分重要的部分,U-Boot为功能强大的bootloader开发软件.本文详细分析了U-Boot的启动流程,并结合其源码,阐述了U-Boot在S3C2410目标板上的移植过程,其实现方法和步骤具有一定的通用性.     

低碳服务区源网荷储各环节综合技术体系研究

随着我国交通基础设施的快速发展和公路里程数的不断增加,高速公路服务区存在很大的碳减排空间。本文在调研服务区用能情况的基础上,从源、网、荷、储4个环节介绍了适用于服务区的低碳节能技术。结合相关标准和低碳服务区案例,提出了低碳服务区建设综合技术体系。     

射孔冲击相变对射孔套管抗挤性能的影响

油气井套管抗挤毁性能与材料屈服强度关系紧密,聚能射流穿孔过程中可能诱发孔眼附近材料相变从而影响射孔套管抗挤强度。首先对射孔后的P110套管取样,通过扫描电镜观察孔眼附近样本组织成分是否发生变化;然后对无孔眼、机加孔眼和射孔孔眼试件进行静力拉伸试验,对比射流冲击影响下试件抗拉性能的变化;最后通过有限元仿真分析了射孔冲击相变区的存在对套管抗挤性能的影响。研究结果表明,聚能射孔会导致材料组织成分变化而影响材料机械性能;当相变对射孔套管抗挤强度起正向增强作用时幅度有限,起负向削弱作时用射孔套管剩余抗挤强度下降显著。     

Ni替代Nb对Bi1.5ZnNb1.5O7陶瓷介电性能的影响

以分析纯级原料,按照一定比例混合,利用固相反应制备Bi1.5ZnNb1.5O7陶瓷.研究结果表明:Ni掺杂样品能够有效地降低烧结温度至960℃;样品相结构保持立方焦绿石相;随着Ni3+替代量的增加,介质材料的介电常数及介电损耗逐渐增大;在-195～150℃的温度范围内,介电常数存在明显的弛豫现象,随Ni3+的掺杂量增加,逐渐向高温方向移动,在1 MHz下其峰值温度为:-98.1℃,-97.7℃,-97.1℃,-94.2℃.     

TiO2／SiO2复合薄膜的光学性能研究

本文采用射频磁控溅射方法制备了TiO2／SiO2复合薄膜。采用XRD、台阶仪和UV—ViS等测试手段表征薄膜的晶体结构、膜厚和光学性能。系统研究了溅射气氛、溅射时间以及踺掺杂量对TiO2／SiO2复合薄膜光学性能的影响。结果表明,TiO2／SiO2薄膜对紫外波段光波吸收强度与溅射时间成正比,与氧气含量成反比。随着氧气含量的降低,薄膜的光波吸收限？g向长波方向移动,即吸收波长呈现出明显的“红移”。随着Si、Ti摩尔比的增加,薄膜的光波吸收限？g向短波方向移动,即吸收波长呈现出明显的“蓝移”。     

射频磁控溅射制备纳米TiO_2薄膜及其表征

采用射频磁控溅射法制备纳米TiO2薄膜。采用X射线衍射仪（XRD）、原子扫描电镜（AFM）对纳米TiO2薄膜晶体结构、表面形貌进行表征。研究了热处理对纳米TiO2薄膜晶体结构、表面形貌的影响。结果表明,热处理后TiO2颗粒变小,薄膜更加致密。热处理前TiO2薄膜没有出现晶相,呈无定型,500℃条件下热处理1h后出现锐钛矿相,升高热处理温度未出现金红石相。     

LiNi_(0.5)Mn_(1.5)O_4高压锂离子正极材料改性研究进展

LiNi_(0.5)Mn_(1.5)O_4具有三维锂离子传输通道、4.7V的高平台电压,成为最有潜力的锂离子动力电池正极材料之一。但是,过渡金属Mn易溶于电解液,使电池循环性能和倍率性能变差。总结了Li_(0.5)Mn_(1.5)O_4正极材料的改性进展,在此基础上,提出了材料改性的研究方向。     

SiCl_4热氢化制备SiHCl_3过程的模拟研究

为了考察Si Cl_4(STC)-H2体系下的热氢化反应过程,采用完全扰动反应器(PSR)模型与Chemkin模拟软件,耦合了相关热力学与反应机理数据,对不同反应温度、反应压力、反应配比条件进行了模拟计算,并进一步模拟考察了停留时间与反应尾气急速冷却条件,经统计对比揭示了以上因素对Si Cl_4一次转化率的影响。结果表明:反应温度影响优先级为最高,只有在合适的反应温度区间内才能使Si HCl_3(TCS)产生并维持理想的摩尔分率;Si Cl_4一次转化率均随反应压力与反应配比增加而增加,但在最优区间内才有参考价值,增长幅度在最优值后趋缓;Si Cl_4一次转化率在最优停留时间前期增长显著,后期基本无变化;反应尾气则需要在较低温度与较短时间内完成骤冷过程方可使Si Cl_4一次转化率不发生较为明显的降低。得出结论为Si Cl_4通过热氢化制备Si HCl_3过程最优操作条件为反应温度1 200℃,反应压力0.6 MPa,反应配比n(H2):n(STC)为4,在此条件下,Si Cl_4一次转化率为20.91%;最优停留时间为0.01 s,反应尾气最优骤冷条件为在0.001 s内冷却至750℃。     

SiHCl_3还原工艺的关键参数探究

多晶硅制备方法主要有气液沉积法、流化床法、硅烷热解法、冶金法、物理提纯法、改良西门子法等。改良西门子法由于安全性好、沉积速率高、纯度较高等优点,成为目前应用最广泛的工艺方法。SiHCl_3还原是其中一项关键技术,也是主要耗能部分。在国家提倡建设节能降耗、绿色环保型企业的背景下,如何提高SiHCl_3一次转化率和Si的沉积速率,从而提高产量和质量,降低能耗,具有重要意义。本文针对该问题探究相关参数和优化方法,结合生产实践,探究合理解决方案。