SiCl4冷氢化反应器床层密度的计算

通过理论计算临界流化速度u_(mf)和床层空隙率ε_e,得到SiCl_4冷氢化流化床反应器在不同粒径d_p和表观气速u_e条件下的床层密度ρ。床层密度随着硅粉粒径增大而增大,随着表观气速增大而减小。通过实际测量一定高度床层间的压降得到实际床层密度,与理论计算值对比二者吻合性较好,冷氢化反应器的床层密度沿高度方向变化较小。     

氧化镁-碳化硅复相陶瓷在X波段的衰减性能

以MgO为基体,添加少量SiC,采用热压工艺制备复相微波衰减钮扣材料,通过矢量网络分析仪测试其X波段的微波衰减性能.研究SiC的添加量、烧结温度、保温时间以及介电性能等因素对复相材料衰减性能的影响.结果表明:当SiC质量分数(下同)从1%到10%逐渐增加时,复相材料的损耗谐振衰减频率(f0)随之降低,衰减量也逐渐减小,有效衰减带宽增大;这种现象在SiC含量小于2%时更显著.烧结温度的降低会提高复相材料的f0;保温时间对复相材料衰减性能稳定性的影响较小.从谐振腔及波导的性质入手分析了影响f0而的主要因素,导出了给定钮扣半径下复相材料f0与相对介电常数之间的关系及适用范围,并据此从材料设计的角度对耦合腔行波管"损耗钮扣"的制备进行了探讨.     

微波介质陶瓷分类及各体系研究进展

根据介电常数的大小将微波介质陶瓷归为低介、中介和高介3类,总结了国内外目前研究较多的各种体系的晶体结构和介电性能以及现有的不足之处和改性情况,重点介绍了低介中的A(B'1/3B"2/3)O3系、中介中的BaO-TiO2系以及高介中的(A'1-xA"x)BO3系的研究进展,并讨论了微波介质陶瓷的发展趋势.     

TiO2含量对BaO-Sm2O3-TiO2系陶瓷性能的影响

以BaCO3,Sm2O3,TiO2为原料,制备BaO-Sm2O3-xTiO2系陶瓷,运用XRD,SEM和矢量网络分析仪对BaO-Sm2O3-xTiO2系陶瓷材料的相组成、显微结构和衰减性能进行表征,研究TiO2含量对材料烧结性能、主晶相生长与微波性能的影响.结果表明,随着x值增加,最佳烧结温度下降,样品的密度降低,BaO-Sm2O3-xTiO2系陶瓷微波性能得到改进.当x=4时,主晶相为BaSm2Ti4O12,该样品为单相物质,当x=6时,TiO2以第二相的形式出现在晶相中.     

一种除去三氯氢硅中磷杂质的新方法

文章对比了目前国内外氯硅烷除磷的主要方式;描述了一种新型除磷络合剂的制备方法;研究了该络合剂对三氯氢硅中的磷杂质的吸附效果。实验结果表明,使用该络合剂除去三氯氢硅中的磷耗时短,约1~10分钟;除磷效果高,可达95%以上。