关于电测找水三个技术性问题的探讨

利用电测技术，必须解决好电极距与勘测深度的关系；如何利用电测资料来寻找地下水和根据实际情况选好电极距3个问题。     

离子注入磁记录材料的试验研究

离子注入用于金属材料表面改性,特别是提高金属表面的耐磨损、耐腐蚀能力的试验研究已开始向工业应用的方向过渡。目前这方面的研究成果已在英国、美国、日本、苏联等国申请了专利,其中用于磁头表面处理的专利申请就占有两项。为此,我们分别试验了硼离子、氮离子注入坡莫合金磁头材料,研究其组织、结构的变化,测量了坡莫合金离子注入前后的磁性能、表面硬度、表面光洁度、耐磨损性能以及成品磁头离子注入前后的电声性能,取得了一些初步的试验结果。     

用于分子束外延的喷射炉的研制

一、引言分子束外延(MBE)是新近发展起来的制备化合物半导体薄膜的方法。生长过程包含一个或多个热分子束或原子束与晶体表面在超高真空(10~(-9)～10~(-10)托)条件下的反应。依照粘附系数的差别,严格控制入射分子流或原子流。外延薄膜的结构随分子束的相对流量改变,保持严格的化学配比。晶体生长受分子束相互作用的动力学过程支配,而异于常规的化学汽相淀积(VPE)和液相外延(LPE)中的准热力学平衡。分子束外延是在基础研究中出现的外延生长新方法。分子束外延能够精确地控制外延层的厚度和均匀性。例如,用计算机控制的分子束外延设备已生长出低于10(?)厚度的GaAs和